第七章 测量学和缺陷检查.ppt

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第七章 测量学和缺陷检查 本章提要 7.1 质量测量 7.2 分析设备 7.1 质量测量 7.1.1 膜厚 7.1.2 膜应力 7.1.3 折射率 7.1.4 掺杂浓度 7.1.5 无图形的表面缺陷 7.1.6 有图形的表面缺陷 7.1.7 关键尺寸 7.1.8 台阶覆盖 7.1.9 套准精度 7.1.10 电容－电压（C－V）测试 7.1.11 接触角度 7.1.1 膜厚 薄层电阻率ρs=Rs*t 测方块电阻 椭偏仪 椭偏仪是非破坏、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明薄膜 椭偏仪的基本原理是用线性的偏振激光源，当光在样本中发生发射时，变成椭圆的偏振。偏振光由通过一个平面的所有光线组成。椭偏仪测量反射得到的椭圆形，并根据已知的输入值精确地确定薄膜的厚度。 椭偏仪能测量几十埃级厚度的不同类型的薄膜。 薄的金属层(50nm)被看做是半透明膜，可测量。 7.1.2 膜应力 薄膜上可能引入强的局部应力 膜应力会造成衬底形变，并产生可靠性问题 分析由于薄膜淀积造成的衬底曲率半径变化来进行应力测量。 7.1.3 折射率 折射是透明物质的特性，它表明光通过透明物质的弯曲程度 折射率的改变表明薄层中有沾污，并造成厚度测量不正确 对于薄层的折射率可以通过干涉和椭圆偏振技术来测量 7.1.4 掺杂浓度 杂质原子