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电子信息材料专业方向大型实验教学大纲(综合实践类)
综合实践名称:电子信息材料专业方向大型实验
英文名称:Electronic Information Material Open Experiments
课程编号:1200405
面向专业:材料科学与工程 电子信息材料方向
课程总学时 3周 课程学分: 3
本大纲主撰人:董岩,邵起越 (TelEmail:dongyan@seu.edu.cn)
一、综合实践作用和具体目标
本综合实践环节是电子信息材料专业方向的必修环节,旨在训练学生的实验技能和实验思路。通过专业实验,使学生逐步掌握电子信息材料制备、性能测试的基本原理,了解制备与测试相关设备或仪器的工作原理和使用方法,同时对电子信息材料专业方向所学相关课程的知识进行巩固,提高学生的专业综合素质。
二、实践内容,学时分配与组织
1、实验名称及实验时间(共三周)
序号
实践项目
实验内容
实验类型
实验时间
每组人数
备注
1
粉体材料制备及性能测试
高温固相反应法制备荧光粉材料
基本型
1.5天
1
必做
激光粒度仪法检测粉体材料粒度性能
基本型
0.5天
3
必做
电阻法检测粉体材料粒度性能
提高型
0.5天
3
必做
粉体材料比表面积测试
提高型
1天
3
必做
粉体材料综合性能测试(松装密度,振实密度,安息角等)
提高型
0.5天
1
必做
粉体材料电泳性能测试
提高型
0.5天
3
必做
长余辉荧光粉发光性能测试
基本型
1天
1
必做
荧光粉温度猝灭性能测试
研究创新型
1天
1
选做
发光材料激发光谱和发射光谱测试
研究创新型
1天
1
选做
2
薄膜材料制及性能测试
直流磁控溅射法制备薄膜材料
基本型
1天
≤10
必做
射频磁控溅射法制备薄膜材料
基本型
1天
≤10
必做
薄膜结合力性能测试
提高型
0.5天
3
必做
薄膜摩擦性能测试
提高型
0.5天
3
必做
原子力显微镜观察薄膜表面形貌
研究创新型
0.5天
3
必做
溶胶凝胶法制备薄膜材料
提高型
1天
3
必做
3
半导体工艺实验
半导体衬底清洗工艺
基本型
0.5天
1
必做
四探针法测量电阻率
基本型
0.5天
1
必做
半导体霍尔效应实验
基本型
1天
3
必做
热氧化法制备SiO2薄膜
提高型
1天
3
必做
椭偏法测量SiO2薄膜折射率与厚度
研究创新型
0.5天
3
必做
光刻技术与工艺
基本型
1.5天
3
必做
半导体变温霍尔效应
研究创新型
1天
1
选做
4
总结
完成实验报告,PPT答辩
1天
2、综合实践项目一 “粉体材料制备及性能检测”的安排
① 选用材料 高纯碳酸锶、高纯氧化铝、高纯氧化铕等
② 工艺路线 备料→配料(0.5天)→高温灼烧及还原(2天)→后处理(0.5天)→各种性能测试(4天)→讨论(1天)
3、综合实践项目二 “薄膜材料制备及性能检测”的安排
① 选用材料 单晶硅片,高纯Ti、Al靶,高纯氮气,高纯氩气等
② 工艺路线 备料→直流磁控溅射法(1天)→射频磁控溅射法(1天)→薄膜性能测试(1~2天)→溶胶凝胶法制备薄膜材料(1天) →讨论(1天)
4、综合实践项目三 “半导体工艺实验”的安排
① 选用材料 单晶硅片(锗片),高纯氮气,氧气等
② 工艺路线 备料→半导体衬底清洗工艺 (0.5天)→半导体性能测试(1~2天)→SiO2薄膜制备及性能测试 (1~2天)→光刻技术与工艺(1~2天)→讨论(1天)
三、教学管理模式与注意事项
1、电子信息材料专业方向学生需完成全部“必做实验”。根据综合实践项目的内容和难易程度,学生自由组合分组,每组人数1-3人,并由指导教师认可。根据自己能力强弱和兴趣爱好,自主选择完成“选做实验”,选做实验在课余时间或双休日进行,需事先与指导教师预约。
2、学生在实验前必须认真预习,明确实验原理和目的,熟悉实验步骤及工艺参数。
3、实验室在三周中对实验学生重点支持,实行开放的管理模式,双休日也可安排进行试验。高温炉、大型设备、高精设备由专人负责操作,并填写使用记录。
4、学生须严格遵守实验室管理条例和安全规范,开始实验前进行一次集中安全教育。
四、设备与器材配置
1、可供选择的仪器设备
① 各类小型制样设备,各类化学药品等耗材(高纯原料,单晶硅片,光刻胶等)
② 大型制样设备(磁控溅射仪,高温烧结炉,光刻机等)
③ 各类检测分析仪器(粒度仪,比表面仪,电泳仪,亮度仪,原子力显微镜,微磨损仪,薄膜结合力分析仪,椭偏仪,四探针仪,霍尔效应仪,体视显微镜等)
2、实验耗材
①常规化学药品(酒精,硝酸,盐酸,氨水等)
②高纯或昂贵原料(荧光级高纯粉体原料,单晶硅片及锗片
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