第七章固体的结构与性质.pptVIP

晶格或点阵 晶体中相邻的原子（或原子结合态单元）间用直线连接起来，原子作为结点。 这些结点按一定规则排列组成几何图形。几何图形就是晶格或点阵。 最简单的立方晶格可分为三种类型： 单晶体：一个晶格贯穿整个晶体。 多晶体：多个晶格，一般的固体材料都是。 晶格种类数目很有限。根据晶格上原子或分子的种类、相互之间作用力的不同，分为： 离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体四种典型晶体。 1. 离子晶体 正、负离子的静电作用力 阴离子：大球堆积，形成空隙。 阳离子：小球填充空隙。 阴阳离子相互接触。 典型离子晶体静电作用力： 物质 NaF NaCl CaO MgO 离子半径之和（nm) 0.230 0.279 0.231 0.210 熔点/oC 922 801 2570 2852 U（kJ·mol-1） 923 785 3401 3791 典型离子晶体： 活泼金属的含氧酸盐、卤化物、氧化物。 离子晶体的特点： 熔点、硬度较高，脆， 固体不导电，液态和溶液时导电。 离子晶体的构型与外界条件有关。CsCl在室温是CsCl型，但在高温下就转变为NaCl型。 这种化学组成相同而晶体构型不同的现象称为同质多晶现象。 2. 分子晶体 晶格结点上是分子 。 分子间力（范德华力、或有氢键）小。 分子晶体的特点：熔沸点低、有挥发性、硬度小。 无氢键时，分子间力随分子量增大而增大。卤素单质 氢键的影响。 分子晶体由中性分子组成，固态和熔融态都是电绝缘体，如气体绝缘材料SF6 3. 原子晶体 中性原子 共价键（键很强） 原子晶体的特点： 不导电、硬度、熔沸点很高。 典型的有： C、Si、Ge 等单质，以及SiC、GaAs、SiO2、BN等。 晶格结点上是金属原子或阳离子，可以近似看作等径圆球的堆积。 自由电子或离域电子把金属的原子或离子“粘合”在一起，形成了金属键。 这种键可以看作是改性的共价键，即是由多个原子共用在整个金属晶体内流动的自由电子所组成的共价键。 金属键可以用分子轨道理论进行处理。 固体能带理论 固体能带理论是在分子轨道理论的基础上发展起来的。 该理论把金属晶体中所有的原子看成一个大分子。 各原子的原子轨道相互作用，形成一系列分子轨道，其数目与原子轨道数目相同。 金属导体的能带模型 固体的能带结构 绝缘体中的价电子都处于满带，满带与相邻带之间存在禁带，能量间隔大（Eg≥5ev），故不能导电，如金刚石。 半导体的价电子也处于满带（如Si、Ge），其与相邻的空带间距小，能量相差也小（Eg 3ev）。 低温时是电子的绝缘体，高温时电子能激发跃过禁带而导电，所以其导电性随温度的升高而升高。 金属却因升高温度，导电性下降。 本征半导体是由晶体结构本身特性造成的,如Si（禁带1.1eV）及Ge（禁带0.7eV ）。 本征半导体还可由不同种类原子形成. 如GaAs、InSb、GaP、ZnO、CdS、ZnSe等，以及PbS、PbSe等。 热激发(满带?导带)产生的价电子和空穴载流子迁移而导电。 掺杂半导体是在禁带范围内形成有限的局部能级，如在小河中加几个石墩，方便电子的通行。 局部能级与价带间只有0.01～0.1eV。 本征半导体中掺少量富电子杂质，称为n型半导体。如，硅中掺磷、砷。 本征半导体中掺少量缺电子杂质，称为p型半导体。如，硅中掺硼、铟。 混合键型晶体 晶格内同时有几种作用力。 石墨具有层状结构，作润滑剂。 晶体缺陷 两大类缺陷： 点缺陷 线缺陷 面缺陷 本征晶体和掺杂晶体。 亚晶界 晶粒的尺寸很小，位向差也很小的晶粒之间的交界面。亚晶界也可看作位错壁。 晶体缺陷使得晶体在光、电、磁、声、热学上出现新的特性。 单晶硅、锗都是优良半导体材料，而人为地在硅、锗中掺入微量砷、镓形成的有控制的晶体缺陷，便成为晶体管材料，是集成电路的基础。 杂质缺陷还可使离子型晶体具有绚丽的色彩。如 α-Al2O3中掺入CrO3呈现鲜艳的红色，常称“红宝石”，可用于激光器中作晶体材料。 离子晶体的缺陷有时可使绝缘性发生变化，如在AgI中掺杂+1价阳离子后，室温下就有了较强的导电性，称为“固体电解质” ，能在高温下工作，可用于制造燃料电池、离子选择电极等。 实际晶体的键型变异 粒子间的