Q_321001LJD 1005-2018硅肖特基势垒二极管详细规范.pdf

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2019-09-18 发布于湖南
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ICS 31.080.10 L41 Q/321001 LJD1005-2010 Q 扬州晶新微电子有限公司企业标准 Q/321001LJD 1005—2018 代替Q/321001LJD 1005-2015 硅肖特基势垒二极管详细规范 2018 - 12 - 30 发布 2018 - 12- 31 实施扬州晶新微电子有限公司发布 Q/321001LJD 1005-2018 前言本标准与Q/321001LJD 1005-2015相比，在附录A中增加S系列的产品。本标准符合GB/T 4589.1-2006 《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》（IEC 60747-10 IDT）、GB/T 12560-1999 《半导体器件分立器件分规范》（IEC 60747-11，IDT）的Ⅱ类要求。本标准采用GB/T 6588-2000 （idt IEC 60747-3-1）《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管第一篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范》标准制定的。本标准起草单位：扬州晶新微电子有限公司。本标准主要起草人：薛新兵本标准于2010年10月10日首次发布，2013年12月第1次修订，2018年12月第2次修订。