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Q/370282LGJK
青岛蓝光晶科新材料有限公司企业标准
Q/370282LGJK 008—2017
多晶硅圆靶
Polysilicon circular target
2017 - 01 - 01 发布 2017 - 01 - 01 实施
青岛蓝光晶科新材料有限公司 发 布
Q/370282LGJK 008—2017
目 次
前言 II
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 要求 1
4.1 产品分类 1
4.2 供货状态 1
4.3 牌号 1
4.4 技术要求 2
4.4.1 等级 2
4.4.2 化学成分 2
4.4.3 几何尺寸 3
4.4.4 表面粗糙度 4
4.4.5 外观质量 4
4.4.6 内部质量 5
4.4.7 导电类型 5
4.4.8 电阻率 5
5 测试方法 5
6 检验规则 5
6.1 检验和验收 5
6.2 组批 6
6.3 检验项目及取样 6
6.4 检验结果的判定 6
7 标志、包装、运输、贮存 6
7.1 标志 6
7.2 包装 7
7.3 运输 7
7.4 贮存 7
7.5 质量证明书 7
8 订货单内容 7
I
Q/370282LGJK 008—2017
前 言
本标准由蓝光晶科新材料有限公司科创中心提出并归口。
本标准起草单位：青岛蓝光晶科新材料有限公司。
本标准主要起草人：张磊、顾正、郭校亮、张晓峰。
II
Q/370282LGJK 008—2017
多晶硅圆靶
1 范围
本标准规定了圆形多晶硅靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及订货单（或
合同）内容。
本标准适用于半导体电子器件用的各类多晶硅溅射圆靶材。
多晶硅圆靶采用原生硅料回收料、切割靶材的边角料、纯度4N 级~5N 级的多晶硅（掺硼母合金）
经定向凝固的提纯料为原料。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 24582-2009 酸浸取- 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 6093-2001 几何量技术规范 （GPS ）长度标准 量块
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
3 术语和定义
3.1
靶材 target
溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳极粒子撞击下以分子、原子或离子的形式
脱离阴极而在阳极表面沉积。
4 要求
4.1 产品分类
产品按导电类型的不同分为P型
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