微电子学概论第七课.pptVIP

PVD的基本原理 蒸发或者溅射 覆盖 淀积工艺的台阶覆盖率 ttop tsidewall SC = tsidewall/ttop =1 LPCVD, ALD PECVD, PVD 离子注入 高能离子通过碰撞使得衬底晶格发生位移同时自身进入晶格的过程称为离子注入。 离子注入是向半导体衬底里引入特定杂质的最有效手段。 利用光刻胶或者硬掩膜的阻挡作用，可以在半导体衬底上某些特定区域引入杂质，从而实现器件的电学性能。 离子注入引入的离子在电学上是非活性的。 离子注入同时引起衬底损伤。 离子注入装置 1. 离子源和发射装置(类似溅射) 2. 离子束引出装置 3. 离子束质量选择 只有合适的离子可以通过 4.离子束加速 5.离子束偏转和扫描 离子注入的典型分布 典型的离子注入分布：高斯分布 器件中的离子注入作用 ion source drain 通常利用离子注入形成器件中的各种PN结，比如MOSFET中的源和漏与体区之间的PN结，或者双极晶体管的集电区和基区之间的PN结 现代集成电路制造技术要求离子注入深度很浅，同时引起的衬底损伤较少。 扩散的形式一-退火 退火(Annealing)：通过加热将离子注入的原子变成电学激活的状态，同时修复晶格中的损伤。 Ion implantation annealing Activated dopant: PN diode, source, drain …