第12讲 c语言介绍 DSP芯片应用.pptVIP

pre_write_flash( ); /*写Flash前的预处理，向Flash内写入相应命令字，根据所 选用Flash的不同，预处理操作也有所不同*/ delay(N); *(flash_addr++)=code; /*写数据到Flash中*/ delay(N); } } 图8-13 Flash擦写程序流程图 擦写步骤如下： (1) 将character[180][32]设置为全局变量。 (2) 将程序编译下载到DSP芯片中，打开工程目录中output文件夹中的.map文件，找到character数组在RAM中存放的起始地址和长度。 (3) 使用Save Memory命令将RAM中对应于character数组的地址段的数据以二进制形式保存在计算机上。 (4) 打开Flash擦写程序，修改数据在片内RAM中存储的起始地址和Flash的擦写起始地址与数据长度。 (5) 再次打开Flash擦写程序，单步执行到映射方式置为片外Flash处停止，然后使用Save Memory命令保存Flash中刚写入的地址段的数据值，接着使用Ultra Edit的比较文件命令比较前两次保存的数据，如完全相同就表明character字模/数组已经正确地写到片外Flash中。 8.4.3 Bootload设计 1．自举加载器(Bootloader) 自举加载器的主要功能是，在上电时从外部加载并执行用户的程序代码。TMS320C54x的自举加载共有并行EPROM(Flash)、并行I/O、串行口、HPI口和热自举五种方式，其中前三种又分8位和16位两种。 1) 选择自举方式 在硬件复位期间，如果TMS320C54x的MP/ 为低电平，则从片外的0FF80H开始执行程序，选择过程如图8-14所示。 图8-14 自举加载方式的选择过程 在片内ROM的0FF80H地址上，有一条分支转移指令，以启动制造商在ROM的自举加载器程序。具体加载方法如下： (1) 在自举加载前进行初始化。初始化的内容如下： ● INTM＝1，禁止所有的中断。 ● OVLY＝1，将片内双寻址RAM和单寻址RAM映像到程序/数据空间。 ● SWWSR＝7FFFH，所有程序和数据空间都插入7个等待状态。 ● BSCR＝0FFFFH，设定外部存储区分区为4K字，当程序和数据空间切换时，插入一个等待周期。 (2) 检查 ，决定是否从主机接口(HPI)加载。如果没有锁存 信号，说明不是从HPI加载，否则从HPI到RAM自举加载。 (3) 使I/O选通信号()为低电平，从地址为0FFFFH的I/O口读入自举程序选择字(BRS)。BRS的低8位确定了自举加载的方式，其内容和引导方式的对应关系如表8-3所示。表8-3中，x表示无效，SRC表示并行方式的6位页地址，ADDR表示热自举方式的6位页地址。 表8-3 TMS320C5409引导方式 方 式 0FFFFH单元低8位内容 8位串行口 xxxx0000 16位串行口 xxxx0100 8位并行I/O xxxx1000 16位并行I/O xxxx1100 8位并行EPROM SRC 01 16位并行EPROM SRC 10 热自举 ADDR 11 2) 8/16位并行自举加载的实现 TMS320C54x通常都采用从EPROM或Flash引导的方式，这里着重讨论并行Boot的实现。Boot程序首先读入外部数据区的FFFEH和FFFFH两个地址的内容，并把它们组装成1个16位字作为代码存放的源地址，根据这个地址，从外部数据区读入连续的两个8位字节，并组装成1个16位字。 由于Boot已经设定好相应的数据存放格式，因此在Flash组织数据就成为关键。下面做以下假设来具体说明Flash的数据组织方法。 存放在Flash中的控制代码和用户代码的首地址为外部数据区的8000H，等待状态数为7个，Bank长度为64K字，程序执行的入口点地址为2