石墨烯场效应晶体管的制备及性能研究材料学专业论文.docxVIP

山东大学硕士学位论文目 山东大学硕士学位论文 目 录 摘要 I Abstract ．．．． ．．III 第一章绪论 一l 1．1石墨烯概述 ．．1 1．1．1石墨烯的结构和基本性质 l 1．1．2石墨烯的制备方法 3 1．1．3各种制备方法的对比 5 1．2石墨烯场效应晶体管(GFET)的结构和原理 ．6 1．2．1 GFET的结构 6 1．2．2 GFET的工作原理 7 1．3 GFET的应用和研究现状 8 1．3．1 GFET的应用概述 8 1．3．2射频@F)GFET 9 1．3．3 GFET集成电路 ．10 1．3．4基于GFET的新型器件 1l 1．3．5 GFET电学特性的研究现状 ．．1 2 1．4本论文的选题思路及主要的研究内容 14 参考文献 l 6 第二章底栅GFET的制备及电学测试 2l 2．1石墨烯样品的表征 2l 2．1．1拉曼表征石墨烯的原理 2l 2．1．2本实验所用样品的拉曼表征结果 ．22 2．2紫外光刻的原理和工艺优化 22 2．2．1紫外光刻的原理 22 2．2．2光刻胶介绍和光刻工艺优化 24 2．3金属．石墨烯欧姆接触 。28 2．3．1金属．石墨烯欧姆接触的测试方法 28 2．3．2金属．石墨烯欧姆接触的样品制备 29 2．3．3金属．石墨烯欧姆接触的实验结果 30 万方数据 山东大学硕士学位论文2．4底栅GFET的制备流程和性能测试 山东大学硕士学位论文 2．4底栅GFET的制备流程和性能测试 ．33 2．4．1底栅GFET的工艺流程 ． 33 2．4．2测试设备和测试条件 34 2．4．3 GFET电学参数的计算 。36 2．4．3 GFET的电学测试及结果分析 一38 2．5本章小结 39 参考文献 。40 第三章热蒸发SiO作介质层的项栅GFET的制备及电学测试 43 3．1热蒸发SiO对GFET性能的影响 44 3．2 SiO薄膜的电学性质 ．46 3．3顶栅GFET的制备流程和性能测试 47 3．3．1顶栅GFET的制备流程 47 3．3．2顶栅GFET的测试与结果分析 49 3．4 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件 ．51 3．4．1湿法刻蚀SiO ．5 l 3．4．2 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件的工艺流程 ．：52 3．4．3 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件的电学测试 ．．54 3．4．4 SiO同时作为牺牲层和介质层造成的问题及解决办法 一57 3．5本章小结 60 参考文献 6l 第四章总结与展望 63 4．1论文工作总结 63 4．2本论文的主要创新点 63 4．3展望 ．63 致谢 65 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 ～67 万方数据 山东大学硕士学位论文CoNTENTS 山东大学硕士学位论文 CoNTENTS Abstract(in Chinese) ．I Abstract III Chapter 1 Introduction 1 1．1 Introduction ofgraphene ．．1 1．1．1 Structure and properties ofgraphene ．1 1．1．2 Preparation methods ofgraphene 3 1．1．3 Comparison ofpreparation methods ．．5 1．2 Stucture and principle of Graphene Field-Effect Transistor(GFET)．．．．．．．．．． ．．．．．6 1．2．1 Structure of GFET ．．6 1．2．2 Principle ofGFET ．．7 1．3 Applications and research status of GFET ．．8 1．3．1 Application overview ofGFET 8 1．3．2 Radio Frequency(1心)GFET 9 1．3．3 GFET based Integrated Circuit 0c) 10 1．3．4 GFET based new devices ．1 l 1．3．5 Research status ofGFET ．．12 1．4 Design ideas and main research work ．14 References ．1 6 Chapter 2 Fabrication and characterization ofback—gated GFET ．21 2．1 Characterization ofgraphene sample ．．21 2．1．1 Principle ofRaman characterization 21 2．1．2 Ch