第01章半导体器件.ppt

1.2.2 变容二极管 PN结具有电容效应，二极管存在结电容。二极管结电容的大小除了与本身结构工艺有关，还与外加电压有关。 1.2.3 光电二极管 光电二极管的结构与一般的二极管类似，在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃管窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下工作，它的反向电流随光照强度的增加而上升。 1.2.4 发光二极管 发光二极管（简称LED）是一种光发射器件，它是由砷化镓、磷化镓等材料制成。当这种管子通以电流时将发出光来。光的颜色主要取决于制造所用的材料 。 发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快，因此，常用来作为显示器。 1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管。双极型晶体管是由两个PN结组成的。 一.三极管的结构 三极管集电极直流电流IC和相应的基极电流IB的比值称为直流放大系数，用表示，即 一般情况下，?与很接近，即?≈ ，通常?与无须严格区分，可以混用。 1.3.3 三极管在电路中的基本连接方式 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.3.5 三极管的主要参数 1.电流放大系数 2. 反向饱和电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压uDS对漏极电流ID的影响。（设UGS(th)=2V， uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 1.4.2 场效应管的主要参数和使用注意事项 3. 三极管的电流分配关系与放大作用 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）?IC与?IB的比值几乎是一个常数，我们将这个比值称为共发射极交流电流放大系数， 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极; 共基极接法，基极作为公共电极。 共发射极接法，发射极作为公共电极； 三极管在电路中的三种基本连接方式 1.3.4 三极管的伏安特性 1. 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 死区电压 硅 0.5V 锗 0.1V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.3V （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集