第4章 双极型极管及放大电路.pptVIP

* BJT的基本特性是通过电流控制实现放大作用。但Q不合适，不能实现放大。 饱和、放大、截止称BJT的三种工作状态。 * 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 * ICBO小功率Si管在1?A以下，Ge管约10?A以上。ICEO小功率Si管在几?A以下，Ge管几十?A以上。只决定于温度和少子的浓度。温度一定，它基本是常数。 ICEO、ICBO随温度上升而上升。一般认为温度上升10℃， ICBO上升一倍。温度升高时曲线族上移。选管时，希望极间反向饱和电流尽量小些。 f?叫共设截止频率 * * PCM与环境温度有关。温度越高，PCM越小。BJT使用时受环境温度限制。SI 管上限温度150oC，Ge管约70oC。 * 电压击穿后管子不能工作，但管子并不一定损坏。只要不越过PCM，且击穿时间短，管子特性不会变坏。因此击穿过程是可逆的。但击穿后如果IC继续上升，就会二次击穿而损坏。 * VBB、Rb固定，IB就固定。IB：基极偏流，所以称此电路为固定偏流电路。 Rb：几十~几百K?，基极偏置电阻。 C1、C2：耦合电容，几?F~几十?F。静态时，C1被充电，VC1=VBE（设输入端通过电源负端短路）；在输出端，C2被充电， VC2=VCE。电解电容，极性如图。 * 放大作用是利用BJT的基极对集电极的控制作用来实现的，即在输入端加一能量较小的信号，通过BJT的基极电流去控制集电极电流，从而将直流电源的能量转化为所需形式送给负载。因此，放大作用的实质：放大器件的控制作用，放大器是一种能量控制部件，同时还要注意，放大作用是针对变化量而言的。 * 电压、电流的方向：假定的正方向。 * Rb：几十K?~几百K? * 放大电路可分成非线性区：BJT、RB、VBB和线性区：VCC、RC。 非线性部分的V-I特性，就是BJT的输出特性，线性部分的V-I特性，就是直流负载线。 * 交流负载线是有交流输入信号时Q点的运动轨迹。（∵ICQ/tgα=ICQ（- R?L ）） * iB =IB+ib iC =IC+ic vCE=VCE+vce 虽然这些电流、电压总量的瞬时值是变化的，但它们的方向始终不变。 Q点的选择：除非为得到最大不失真输出幅度，当信号幅度不大时，为降低VCC的能耗，在不失真和保证一定的Au的前提下，Q可选得低些。 * 建立小信号模型的意义：由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 建立小信号模型的思路：当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 * Au与β无关，而与IEQ呈线性关系。 * Ri在数值上接近rbe。但二者概念不同。 rbe BJT的输入电阻，而Ri则代表放大电路的输入电阻。Ri高，可避免信号过多地衰减，尤其是在输入级。RO低，带负载能力强。 * Q点影响波形失真和电压放大倍数的大小。 前面固定偏流电路，偏置电路由一个Rb构成，结构简单，调试方便。但更换管子或环境温度变化，Q会移动，甚至无法正常工作。 * SI管，ICBO对Q影响小，VBE和?受温度影响大。VBE的温度系数-2.2mV/℃。 VBE变化通过IB影响Q。温度上升，多子扩散速度快，在基区复合机会少。如果?大，温度上升1℃， ?上升0.1%~1.0%。 Ge管，ICBO受温度影响大，起主要作用。 * 实质：反馈原理。 * Si管，I1=（5~10）I B，VB=（3~5）V * * A1但近于1，且0，故又称射极跟随器。 原因：Vbe=Vi-VO的关系。 rI比基本放大电路高几十~几百倍。物理本质： Vbe=Vi-VO比无Re时减小了，所以尽管Vi大，Ib依然很小，ri就大。 为降低rO，选?大的管子。 * 或者这样求输入、输出电阻： * ic=ie。所以也称电流跟随器。 最适合放大电流信号源的信号。 * * * 电子电路的输入信号不是单一频率的信号，而是具有一定范围的频谱。 例如：心电、语音、视频信号、数字脉冲等。 * 2.特征频率fT characteristic frequency ffT 时， β1，BJT有电流放大能力。当f fT 时， β1，BJT失去电流放大能力。 当f 很高时，由 得： 或 βf= β0 f β 将f=fT时β=1代入，则 fT= β0 fβ 3.共基截止频率fα 下降到0.707 α0时对应的f。一般 f β fT fα 共基电路频响好 典型数据：100~1000MHz之间。 β0 0.707β0 1 0 fβ f T