第1章半导体器基础.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流IC 。  另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 二． BJT的内部工作原理（NPN管） * * 2．电流分配关系 三个电极上的电流关系: IE =IC+IB (1)IC与I E之间的关系: 其值的大小约为0.9～0.99。 (2)IC与I B之间的关系： 令： 得： * * 三. BJT的特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 * *