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蓬勃发展中的磁性薄膜材料 Magnetic Films Materials in Grow Vigorously 余声明 （中国西南应用磁学研究所 四川绵阳105信箱 621000） 摘 要：本文论述了磁性薄膜材料的基本特点、种类、发展及其应用。 关键词：磁性，薄膜，技术，应用 中图分类号：TM27 文献标识码：A 文章编号：1606-7517（2009）10-5-97 1 前言 磁性材料的薄膜化为满足上述要求提供了可能。如 此，磁性材料的薄膜化是微磁器件的基础，也是将来实现 随着电子系统向高集成度、高复杂性、轻小、高性能、 磁性IC的前提之一。 多功能与高频方向发展，要求在更小的基片上集成更多的 元器件。研制小型化、薄膜化的元器件，以减小系统的整 2 磁性薄膜材料的基本特点与种类 体体积和重量，无疑是适应这一要求的一条实际可行的途 2.1 常用薄膜材料的特点 径。因此，对在电子设备中占据较大体积和重量的磁性器 件，如电感器、变压器的小型化、高频化也相应提出了很 众所周知，薄膜材料是典型的二维材料，具有许多与 高的要求。在这种背景下，国际上对于采用磁性薄膜做成 三维材料不同的特点。通过研究各种薄膜材料生成机理和 的微磁器件的研究以及与半导体器件成为一体的磁性集成 加工方法，可以制备出有各种特殊功能的薄膜材料来，这 电路(IC)的研究十分活跃。这些器件主要用于便携式信息 也是薄膜功能材料近来成为研究的热点材料的原因。 通信设备，如移动电话等。在这些设备中，为保证其工作 由于尺寸小，薄膜材料中表面和界面所占的相对比例 稳定性及经济性，电源部分的小型化和高效率化是很重要 较大，与表面的有关性质极为突出，存在一系列与表面界 的。所以薄膜化的磁性器件最早是从各种电感器、滤波器、 面有关的物理效应： DC/DC变换器中的变压器等开始的。 1) 光干涉效应引起的选择性透射和反射； 以往用于磁性器件的NiFe合金、铁氧体等，不论是饱 2) 电子与表面碰撞发生非弹性散射，使电导率、霍耳 和磁通密Bs，还是磁导率μ的频率特性，远不能满足日 系数、电流磁场效应等发生变化； 益发展的新型电子设备的要求。例如为了防止滤波器、变 3) 因薄膜厚度比电子的平均自由程小得多，且与电子 压器的磁饱和，以及在信息存储中为使高密度记录用的高 的德布罗意波长相近时，在膜的两个表面之间往返运动的 矫顽力介质充分磁化，要求材料的Bs在1.5T以上。另外， 电子就会发生干涉，与表面垂直运动相关的能量将取分立 很多通信机用环形天线、电感器等，要求能在数百MHz到 值，由此会对电子输运产生影响； 数GHz的频率范围工作。这些要求都是目前常用的磁性材 4) 在表面，原子周期性中断，产生的表面能级、表面 料无法满足的。 态数目与表面原子数具有同一量级，对于半导体等载流子 2009.10 · 97 少的物质将产生较大影响； 出的基本特点是： 5) 表面磁性原子的相邻原子数减少，引起表面原子磁 (1) 在薄膜的厚度方向上只有一个磁畴，在静态条件下 矩增大； 薄膜的磁化强度是在平面上； -3 -5