氮气流量基体温度对反应溅射TiAlN成膜影响-中南大学功能薄膜.PDF

第 24 卷第 5 期 矿 　冶 　工 　程 Vol. 24 №4 2004 年 10 月 MINING AND METALLURGICAL ENGINEERING October 2004 ( ) ① 氮气流量、基体温度对反应溅射 Ti ,Al N 成膜影响 刘 　昕 , 余志明 , 尹登峰 , 苏伟涛 , 杨 　莉 ( 中南大学 材料科学与工程学院,湖南 长沙 410083) ( ) 摘 　要 : 采用反应直流磁控溅射的方法 ,通过控制基体温度和N / Ar 流量比 ,在 WC6 %Co 基体表面上成功地制备了 Ti ,Al N 薄膜。 2 用 AFM 、XRD 、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度进行了测试。结果表明 ,在 N / Ar 流量比较低时薄膜存在明显的 2 ( ) ( ) ( ) Ti ,Al N 的 111 织构 ,随着N2/ Ar 流量比的增大 ,这种 111 织构逐渐变弱 ,薄膜显微形貌发生较明显的变化 ,显微硬度也随之变 ( ) ( ) 化 ; N / Ar 流量比超过某一门槛值时不能生成 Ti ,Al N ;在一定范围内 250～400 ℃ ,温度对薄膜质量的影响不是很明显。 2 关键词 : ( ) Ti ,Al N ; 直流磁控溅射 ; 显微形貌 ; 织构 ( ) 中图分类号: O484 文献标识码 : A 文章编号 : 0253 - 6099 2004 05 - 0080 - 03 Effects of N Flow Rate and Substrate Temperature on ( Ti , Al) N 2 Films Deposited by Reactive Sputtering LIU Xin , YU Zhiming , YIN Dengfeng , SU Weitao , YANGLi (