第7章 半导二极管和三极管.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3.稳压二极管 ui = 10sinωtV： ui正半周，当ui UZ，DZ 反向击穿，uO = 5V 当ui UZ，DZ 反向截止，uO = ui ui负半周，DZ 正向导通，uO = 0V ui 10V 5V 4.半导体三极管 1 基本结构 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 N N P 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 4.半导体三极管 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结：面积大 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 4.半导体三极管 2 工作状态 （1）晶体管中电流的分配 三极管放大的外部条件: B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP：VCVBVE 从电位的角度看： NPN：VCVBVE 4.半导体三极管 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.