第10章 晶体管放大电路.ppt

第10章 晶体管放大电路10-1半导体二极管和三极管 10.1.1 本征半导体 10.1.2 N型和 P型半导体 10.1.3 PN结 10.1.4半导体二极管 10.1.5半导体三极管 10.1.1 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 10.1.2杂质半导体（ N型和P型半导体） N型半导体硅或锗 +少量磷? N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 P型半导体硅或锗 +少量硼? P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 杂质半导体的示意表示法 10.1.3 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 PN结处载流子的运动 三极管的技术数据： （1）电流放大倍数? （2）集-射间穿透电流ICEO （3）集-射间反向击穿电压U (BR) CEO （4）集电极最大电流ICM （5）集电极最大允许功耗PCM 判断 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 当温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。 对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止 可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。 5.如图用万用表测得电路中硅三极管的对地电位，则三极管处于截止状态。 6.三极管并不是两个PN结的简单 组合，它不能用两个二极管代替。 7. 下图中三极管处于放大工作状态，判断是NPN还是PNP. 思考题 1．本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是_____,掺杂越多，则其数量____, 相反，少数载流子应是________，掺杂越多，则数量_____。 2．PN结空间电荷区又称为______区，再平衡条件下，电性显______，因为在区内_________所带的电量相等。P区侧应带_______，N区应带______。空间电荷区内的电场称为_______，其方向从______指向_______。 10-2 基本放大电路 10-3 共射极放大电路的静态分析 10-4 共射极放大电路的动态分析 10-5 静态工作点稳定的放大电路 为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静态工作点。 对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UBE、?和ICEO决定，这三个参数随温度而变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。 对耦合电路要求： 10-7 集成运算放大器 10.7.1 集成运算放大器的组成 1 . 组成 2 . 差分放大器 10.7.2 集成运算放大器的理想模型 10.7.3 模拟信号的放大和运算电路 3.2.1 差分放大电路 1.直接耦合电路的特殊问题 2.基本型差分放大器 3. 双电源长尾式差放 4. 恒流源式差放电路 1.7.2 集成运算放大器的理想化模型 集成运算放大器概述 结构 （1）采用四级以上的多级放大器，输入级和第二级一般采用差分放大器。 （2）输入级常采用复合三极管或场效应管，以减小输入电流，增加输入电阻。 （3）输出级采用互补对称式射极跟随器，以进行功率放大，提高带负载的能力。 练习：理想运放A1A2 A3构成的电路如图示（1）说明A1A2 A3各构成何种基本应用电路？（2）求出各运放输出值；（3）求出平衡电阻R1、R7值。 10-8 负反馈放大器 1 负反馈的概念 2 负反馈的类型及分析方法 3 负反馈对放大器性能的影响 瞬时极性判断法 反馈极性判断 (6) 同相加法运算： Au= RF Rf 1+ uo = Au u+ =( )( + ) RF Rf 1+ R2 R1 + R2 ui1 R1 R1 + R2 ui2 取R1//R2=RF//Rf 当R1 = R2 时, uo