模拟电子线路4.3 基本组态放大器..ppt

用输入电阻法求电压增益 （1）求静态工作点 （2）求电压放大倍数 先计算三极管的输入电阻 电压增益 用开路电压法求电压增益 第一级的开路电压增益 第二级的电压增益 第一级的输出电阻 总电压增益 一、静态分析 根据输入回路列方程 图 分压 - 自偏式共源放大电路 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 解联立方程求出 VGSQ 和 IDQ。 4.3.4 共源、共栅和共漏放大器的性能 场效应管电路性能特点、分析方法与三极管放大器相似。不同之处仅在于，FET管的ig=0。 共源放大器 列输出回路方程求 UDSQ VDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) 二、动态分析 微变等效电路入右图所示。 由图可知 电压放大倍数 输入、输出电阻分别为 图 微变等效电路 — D + + — G S + — 共源放大器 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi gmvgs RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro 接R?S的共源放大器 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S gmvgx RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro R?S R?o 不变 经推导 则 增大 减小 共漏放大器 RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S g R?S RG vs + - RL + vo RS + - vi rds - gmvgs s 经推导 共栅放大器 vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - vs + - RL + - vo R?S RS RD gmvgs ii io + - vi g s Ri? i?i 因为 所以 而 FET三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ?1 大 大 大 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av 4.3.5 集成MOS放大器 集成MOS放大器与分立MOS放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成MOS放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成MOS放大器类型： NMOS放大器 CMOS放大器 放大管NEMOS 负载管NEMOS 放大管NEMOS 负载管NDMOS E/EMOS放大器 E/DMOS放大器 放大管、负载管均为E型 但沟道互补 E/EMOS放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 交流通路 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 由于gm2vgs2= -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2等效为电阻：1/gmu2 ， 即 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2 1 gmu2 1 简化等效电路 电压增益： 其中 ?2= 0.1 ~ 0.3 由于MOS管跨导 所以 （小于10倍） E/DMOS放大器 要求两管工作在饱和区： 由于 vgs2= 0 ， 因此受控源 gm2vgs2开路。 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2等效为电阻：1/gmu2 ， 即 VDD + - vo + vi T2 T1 - VDD vo gm1vgs