半导体物理学刘恩科、朱秉升第七版-课后题答案.doc

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec= SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 （1）禁带宽度; 导带底电子有效质量; 价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： SKIPIF 1 0 得 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 补充题1 分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a）(100)晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 补充题2