第三章 谱仪放大器3.pptVIP

基线恢复原理 CD基线恢复器 CDD基线恢复器 开关型基线恢复器 门控有源基线恢复器 基线偏移现象 堆积存在使信号的基线发生涨落 无尾堆积的系列脉冲通过CR网络时 由于电容器上电荷在放电时间内，未能把充电的电荷放光，那么在下一个脉冲到达时，电容器上的剩余电荷将引起这个新出现脉冲的基线偏移。 结果使能谱峰位移动及能量分辨率变坏，在高计数率时尤为突出 脉冲宽度越窄引起的基线偏移也越小，微分电路可以明显改善基线的偏移。 设想有一种元件或电路，能跟踪基线的变化，在信号到达之前，随时随地记录当前的基线电平，一旦信号到达，它能完成该信号（包括基线电平）减去信号到达前瞬间的基线电平的功能，从而得到真正的信号电平，这就是基线恢复器的基本原理。 电容作为基线电平记忆元件，信号未到达时，开关S闭合，等于基线电平 。一旦信号加入，信号通过控制器使S打开，因为： 为基线电平， 为信号，则 实际上这种理想基线恢复电路是很难实现的，通常采用一些较简单办法来近似模拟这一理想系统，其基本原则是：信号出现之前电容能尽可能跟踪基线电平；当信号一出现，保持不变。 CD基线恢复器的缺点： 它只适应单极性信号，若信号存在下冲，下冲过后基线恢复器的速度很慢（以 时间常数恢复）； 基线迅速上升时，（即基线变化速率较大时）由于 时间常数不是十分小，因而C上电压跟不上基线变化，造成在一段时间内输出电压 还会叠加上一定基线电平，因而在基线变化速率不大时才能比较好地发挥作用。 在 时， 、 均匀导通，并平均地分别流过 I2 电流，流过 C 的电流为0，Vc保持不变。 一旦输 入端基线发生变动，例如Vb上升，就会使V2 上升，导致 D1 截止，输入端对C充电，充电电流为I2 ，Vc的上升速率为I2 / C ，充电到Vc =Vb为止。 基线被记忆在电容器C上面。 反之 V1 的基线下降，引起V2 下降，导致 D2 截止，电流源对电容器C以 I2 大小的电流进行反向充电，也就是电容器C向输入端放电，放电速率也为I2 / C ，直到C上电压Vc =Vb 的基线电平相等时为止。 因此无论的基线向任何方向变动，经过 时间，就可使输出电平为零 它与理想的基线恢复器差别在于: 记忆住基线电平所需时间不是零而时间 。 对于信号（例如是正信号），在信号持续期间内，对电容器C也要进行充电，在电容器上建立电压为 ?V=TwI2 / C ，其中 为信号宽度。这与理想基线恢复器也存在一定差别（理想情况下），输出信号平顶有一定下降。信号一结束，在 时间内将充在电容上的电荷放掉。输出端恢复到零电平。 其原理如右图所示。信号未加入时，S闭合，V1基线慢变化对C充电，充电电流为I，速度为I / C，取I足够大值，使C上电压能来得及跟上V1基线慢的变化。一旦信号输入，触发控制器，使S断开，充电电流为I1，取I1I，因此在信号持续时间Tw内C上电压变化很小，不产生幅度损失。一旦信号结束，S又闭合，在信号持续时间内电荷迅速泄放掉。但这种电路也只适用于单极性信号。 基线恢复器一般加在谱仪放大器后几级或最后，它不改变谱仪放大器输出波形，就可以恢复信号尾堆积引起的基线偏移和抑制各种慢变化引起的基线偏移。 谱仪放大器由于加了基线恢复器后它的噪声也会有所增加。在恢复器工作时，基线恢复的时间很短，在这一段恢复时间内，基线恢复器输入时间常数很小，信号来到前的瞬间，耦合电容C被噪声充电，该噪声和脉冲信号峰值处的噪声叠加，结果该噪声增大，这是我们不希望的。 在要求噪声很低的条件下，门控基线恢复器能减少这种影响，不过这样基线恢复器电路复杂，调节也麻烦一些。 基线恢复器对信噪比的影响与放大器滤波成形电路时间常数，噪声转角时间常数以及恢复时间常数等参量有关。它可以通过实验来调节时间常数，得到较好的信噪比。在设计和选用基线恢复器时，要注意能适应各种实验条件，在清除基线偏移的同时减小低频干扰，并避免信噪比的退化。 线性门是传输信号的一个门电路，其作用在控制信号（门控信号）作用下，可以有两个状态。在门控信号的开门电平作用下，线性门开放，脉冲信号以最小畸变通过线性门，传输系数为一常数，通常取1