第1章晶体二极管(1).pptVIP

四、杂质补偿原理 实际在制作晶体管时，往往是在一种杂质半导体中掺入浓度更高的另一种杂质。 当Nd?Na: 本征 当NdNa: N型 当NdNa: P型 根据P区、N区浓度大小分为： 对称PN结： Nd=Na 不对称PN结：P+N：NaNd PN+： NaNd 根据杂质分布： 突变结 缓变结 超突变结 正向：当V0,VVT(大几倍)时， 1.2.5 PN结的开关特性 理想开关特性 正偏（VPVN）：短路 反偏（VPVN）：开路 开关特性的非理想性 影响因素（P22-23）： 开关二极管参数（P23） 例：当I2=10I1时，V2=V1+26ln10=V1+60mV 思考：把一个1.5V的干电池直接接到二极管两端（正偏），会不会发生什么问题？ 反向：当V0,|V|VT(大几倍)时， I ? -Is 三、伏安特性曲线 VD(on) = 0.6~0.8V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.2~0.3 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 第 1 章　晶体二极管 ID V VD(on) -IS Si Ge O 四、温度特性 第 1 章　晶体二极管 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 温度特性 正偏时，正向电流随温度升高略有增大。 温度升高到一定值时，呈现本征半导体特性。 最高工作温度： 硅 150 ℃ ---200 ℃ 锗 75 ℃ ---100℃ 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(l0 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(l0 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) 第 1 章　晶体二极管 V(BR) ID V O |V反|? ，速度? ，动能? ，碰撞。 |V反|? ，E ? ，场致激发。 击穿电压的温度特性 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 稳压二极管 利用 PN 结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：IZmin IZ IZmax 若IZ IZmin ，不能稳压；若IZ IZmax ,热击穿(过热烧毁)。 第 1 章　晶体二极管 VZ ID V IZmin IZmax + - VZ O 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?来自外电场的能量? ?V(BR)?。 因为 T ? ? 价电子获得的能量? ? 更易导致场致激发?V(BR)?。 1.2.4　PN 结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 　　阻挡层外中性区(P 区和 N 区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。 CT(0) CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N 第 1 章　晶体二极管 PN 结电容 PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 第 1 章　晶体二极管 变容二极管：利用电容特性制成的二极管。 变容二极管的电路符号 变容二极管实物图 变容二极管工作在反偏状态，此时Cj ? CT ,随外加电压变化；且I=-Is很小，对电路的正常工作影响小。 RD为导通电阻 * 第 1 章　晶体二极管 1.0　概　述 1.1　半导体物理基础知识 1.2　PN 结 1.3　晶体二极管电路分析方法 1.4　晶体二极管的应用 概 述 晶体二极管结构及电路符号： PN 结正偏(P 接 +、N 接 -)，D 导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单向导电性 PN 结反偏(N 接 +、P 接 -)，D 截止。 即 主要用