第三章双极晶体管.ppt

* * * * * * * * * * * * 共发射极电流增益是三个因素的函数—发射效率，基区输运系数，和复合系数。发射效率考虑了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子基区中的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。 需要考虑的几个非理想效应： 1.基区宽度调制效应，或者说是厄尔利效应：中性基区宽度随集电结电压变化而发生变化，于是集电极电流随集电结或发射结电压变化而变化。 2.大注入效应使得集电极电流随发射结电压增加而增加的速率变慢。 3.发射区禁带变窄效应使得发射区掺杂浓度非常高时发射效率变小。 4.电流集边效应使得发射极边界的电流密度大于中心位置的电流密度。 5.基区非均匀掺杂在基区中感生出静电场，有助于少子越过基区。 6.两种击穿机理—穿通和雪崩击穿。 3.9 总结 晶体管的三种等效电路或数学模型。E-M模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。基区为非均匀掺杂时，应用G-P模型很方便。小信号h-p模型应用于晶体管处于正向有源模式，用于线性放大时。 晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，它是共发射极电流增益的幅度变为1时的频率。频率响应是发射结电容充电时间，基区渡越时间，集电结耗尽区渡越时间，和集电结电容充电时间的函数。 虽然开关应用涉及到电流和电压较大的变化，但晶体管的开关特性和频率上限直接相关。开关特性的一个重要的参数是电荷存储时间，它反映了晶体管由饱和转变为截止的快慢。 3.9 总结 3.10 习题 1.均匀掺杂的n++p+n型双极晶体管，处于热平衡状态。（a）画出其能带图（b）画出器件中的电场（c）晶体管处于正向有源区时重复（a），（b） 2.均匀掺杂的pnp型双极晶体管，T=300K。掺杂浓度为NE=5?1017cm-3,NB=1016cm-3，NC=5?1014cm-3，工作于反向有源区。B-C结点压最大为多少满足小注入条件？ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *  3.5 等效电路模型 3.5.3 H-P模型 线性电路中，晶体管工作在放大区，我们只对正弦信号感兴趣，故有H-P模型 完整的H-P等效电路如右： 了解h-p模型的各个组成部分 重点在各参数的意义 1.交流短路电流放大系数与频率参数 定义:输出端交流短路时输出端与输入端的交流电流之 比为交流短路电流放大系数。 共基极交流短路电流放大系数 晶体管交流小信号电流增益 共射级交流短路电流放大系数 ； 交流小信号电流传输 3.6 频率上限 ； BJT的交流特性分析 实用中，直流偏压上面加交流小信号 .均匀基区晶体管（npn） ne ne 3.6 频率上限 缓变基区晶体管 3.6 频率上限 ◆发射结延迟时间 发射极电流 3.6.1 延时因子 ◆发射效率及发射结延迟时间 3.6 频率上限 ◆基区输运系数及基区渡越时间 均匀基区晶体管 对缓变基区(基区杂质指数分布) 对平面管（高斯分布可用指数分布近似），通常 3.6 频率上限 3.6.1 延时因子 ◆集电结势垒输运系数及渡越时间 假设:在正弦交流信号的正 半周,由于电流密度的增大 使穿过空电区电荷增加了 －Q(集电结电压不变时, 空电区电荷总量不变) 正半周:为了补偿增加的－Q,负 空间电荷应减少－Q/2( x3+), 正空间电荷增加＋Q/2(x4+) 负半周:为了补偿减少的－Q,负 空间电荷应增加－Q/2(x3-), 正空间电荷减少＋Q/2(x4-) 3.6 频率上限 3.6.1 延时因子 ◆集电结势垒渡越时间 ◆集电区倍增因子与集电极延迟时间 集电极延迟时间：交流电流流过rcs 时，将产生交流压降(cb结压降跟着变),导致充放电电流icTC对cb 结电容CTC充放电，使输出电流下降 3.6 频率上限 3.6.1 延时因子 α截止频率 ：定义为α由低频值 下降到 所对应的频率。 β截止频率 ：定义为β由低频值 下降到 所对应的频率。 特征频率 ： β＝1所对应的工作频率（电流放大最高工作频率） 常用“分贝”表示电流放大系数