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第七章 沉积法图形转移技术 将曝光或压印形成的有机聚合物纳米图形结构转移 到各种功能材料上，是微纳米加工技术的重要组成 部分。 1 主要内容 1. 简介 2. 薄膜沉积技术 3. 溶脱剥离法 4. 电镀法 5. 嵌入法 6. 模板法 7. 喷墨打印法 8. 掠角沉积法 2 （一）简介 以上各章介绍的曝光技术和压印技术，主要形成了基于光刻胶或抗蚀剂等有机 聚合物材料的微纳米结构，其功能是作为掩模，帮助形成衬底材料的微纳米结 构。之后，需要将曝光或压印形成的有机聚合物材料微纳米结构转移到衬底材 料来。 这种图形转移技术主要分为两大类：沉积法图形转移和刻蚀法图形转移。 3 （二）薄膜沉积技术  蒸发  溅射  溶胶-凝胶法  化学气相沉积  原子层沉积  分子束外延 4 5 化学气相沉积(CVD)技术 （一种广为应用的制膜方法） CVD技术的关键是，找到合适的气相化合物作为源材料。  化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD ） 把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物气体供给衬底，借助气相作用或在 衬底上的化学反应生成所需薄膜。 例如：用硅烷SiH4来制备硅薄膜（SiH4 = Si +4H ） 气体分解方式 (1) thermal deposition (2) plasma deposition (3) photon (laser, UV) deposition 其技术特征在于： （1）高熔点物质能够在低温下合成 （2 ）可以制备多种薄膜材料 7 各种CVD技术 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是利用由输入射频功率源产生的等离 子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确 控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。 热丝化学气相沉积(HWCVD) 是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工 艺，其主要优点是可以降低基片温度，沉积速率快。 激光诱导化学气相沉积 (LCVD) 是利用激光束的能量分解反应前驱物的CVD 工艺。根据对激光束的控制，既可进行大面积的薄膜沉积，也可进行微米范 围的局部微区沉积。 金属有机物化学气相沉积法 （MOCVD），以金属有机化合物作为源材料的 CVD法。 等离子体辅助化学气相沉积 （Plasma Enhanced CVD，PECVD) 包括： 真空获得及测量系统 反应室 等离子体系统 供气控制系统 将反应气体硅烷（SiH4 ）和H2通入真空反应室，用等离子辉光放电加以分解，产生包括带电离子、 中性粒子、活性基团和电子等，它们落在衬底表面生成Si薄膜。 等离子体辅助化学气相沉积 （Plasma Enhanced CVD，PECVD) 低压CVD中利用辉光放电等离子体的影响生长薄膜。 压强：5～500Pa 热丝化学气相沉积过程（HWCVD） 硅薄膜的热丝化学气相沉积包括以下过程： 1）反应气体 （SiH4和H2 ）在高温热丝表面的分解 过程； 2）分解的基元向衬底的输运过程； 3 ）在输运过程中与