低维半导体材料应变分布!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’# ! $$ ! ， ， ， BC3 (’# AC ( ! +2D2.42E $$ （ ） !$$$7#*$8$$8’# ! 8#$%7$) 9:;9 =?@:9 ?@A@:9 !$$ :1F- ( 150 ( ?CD ( ############################################################### 低维半导体材料应变分布! ）） ）） 周旺民! 王崇愚 # !）（浙江工业大学机电学院，杭州 #!$$# ） ）（钢铁研究总院功能材料研究所，北京 !$$$%!） # ）（清华大学物理系，北京 !$$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$# !! # $$ ’ 在各向同性弹性理论的假设下，探讨了理想简单化的二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与量子点的 应力和应变分布规律，并讨论了它们应力、应变与应变能密度分布之间的差异 结果有助于定性理解更复杂形状结 ( 构的低维半导体材料的应力、应变及应变能分布( 关键词：低维材料，应变分布，量子阱，量子线，量子点 ： ， ， ， !## )%)’ %!*$ )$+ )$ 论上弄清它们生长过程的应力分布，并从实验上加 !, 引 言 以控制，实现有序可控生长( 另外非均匀应变也影响 量子点的电子结构，这种影响一是流体静应力或应 低维半导体材料，即纳米半导体材料，是自然 变，它直接影响带隙的修正；二是压电效应产生的静 界不存在的人工设计、制造的（通过能带工程实施） 电势 因此量子点等的应力分布是低维半导体材料 ( 新型半导体材料，它具有与体材料截然不同的性质( 研究极其重要的一个方面( ［— ］ 随着材料维度的降低和结构特征尺寸的减小（不大 ) % 本文基于线弹性/012345 夹杂理论 思想，研 于!$$ -.），量子尺寸效应、量子干涉效应、量子隧穿 究了二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与 效应、库仑阻塞效应以及多体关联和非线性光学效 量子点应力和应变分布规律，并讨论了它们应力、应 应都会表现得越来越明显，这将从更深的层次揭示 变及应变能分布之间的差异( 这些结果可以