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第5章 非平衡载流子 第5章 非平衡载流子 主要讨论非平衡载流子的产生和复合机制及它们的运动规律。 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 §5.2 非平衡载流子的寿命 §5.3 准费米能级 §5.4 复合理论 §5.5 陷阱效应 §5.6 载流子的扩散运动 §5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 §5.8 连续性方程式 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 一、平衡载流子和非平衡载流子 平衡载流子：处于热平衡态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是恒定的。本章用n0和p0分别表示平衡电子浓度和平衡空穴浓度。 非简并热平衡半导体判据： n0p0=NcNvexp(-Eg/k0T) =ni2 非平衡载流子：对半导体施加外界作用，可使其处于非平衡状态，此时比平衡态多出来的载流子称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。 n型半导体，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子： n p 对于P型材料则相反。 二、非平衡载流子的注入 二、非平衡载流子的注入 小注入：如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的浓度，则称为小注入。 小注入判据： n型半导体Δp n0； p型半导体Δn p0 例如：在室温下， N型硅，ρ=1Ω?cm n0=5.5×1015cm-3；p0= 3.1×104cm-3 注入非平衡载流子Δn=Δp=1010cm-3 则Δp n0；但Δp p0 由此说明，即使在小注入情况下，虽然多子浓度变化很小，可以忽略。但非平衡少子浓度还是比平衡少子浓度大很多，因而它的影响是十分重要。非平衡少子起着主要作用。 电导调制效应：注入的非平衡载流子可以引起半导体的电导率由平衡值σ0增加为σ0+Δσ，附加电导率Δσ可表示为： 载流子注入方法：即能量传递方式，有多种产生非平衡载流子的方法： 光注入：用光照产生非平衡载流子的方法 电注入：用电场产生非平衡载流子的方法。如，P-N结加正向电压，在接触面附近产生非平衡载流子。 另外，当金属与半导体接触时，加上适当极性的电压，也可以注入非平衡载流子。 三、非平衡载流子的复合 非平衡载流子是在外界作用下产生的,当外界作用撤除后，由于半导体的内部作用,非平衡载流子将逐渐消失,也就是导带中的非平衡载流子落入到价带的空状态中,使电子和空穴成对地消失,这个过程称为非平衡载流子的复合 非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种驰豫过程此过程。载流子的复合率S大于产生率G ，有净复合。 载流子的产生率G：把单位时间单位体积内产生的载流子数称为载流子的产生率 载流子数的复合率S：单位时间单位体积内复合的载流子数称为载流子的复合率。 §5.1节小结 ①在热平衡情况下，由于半导体的内部作用，产生率和复合率相等，使载流子浓度维持一定。 ②当有外界作用时(如光照)，破坏了产生和复合之间的相对平衡，产生率将大于复合率，使半导体中载流子的数目增多,即产生非平衡载流子。 ③随着非平衡载流子数目的增多，复合率增大。当产生和复合这两个过程的速率相等时，非平衡载流子数目不再增加,达到稳定值。 ④在外界作用撤除以后，复合率超过产生率，结果使非平衡载流子逐渐减少，最后恢复到热平衡状态。 §5.2 非平衡载流子的寿命 二、少子寿命实验 2、少子寿命的其他测量方法 各种测量方法都包含非平衡载流子的注入和检测两方面内容。 常用方法：直流光电导衰退法；高频光电导衰退法；扩散长度法；光磁电法等 寿命是标志半导体材料质量的主要参数之一，依据半导体材料的种类、纯度和结构完整性的不同,它可以在10-2～10-9s的范围内变化。 5.2节小结 非平衡载流子寿命又称少子寿命，是非平衡少子在复合前的平均存在时间； 小注入少子寿命是常数，是非平衡少子衰减到初始值1/e的时间； 试验可以直接测量少子寿命，如直流光电导衰减法； 少子寿命是标志半导体材料质量的主要参数之一，同种材料的半导体寿命越长，晶体越完整；不同材料半导体的寿命不同。 §5.3 准费米能级 在热平衡情况下可以用统一的费米能级EF描述半导体中电子和空穴在能级之间的分布。 一、准费米能级 当有非平衡载流子存在时，不再存在统一的费米能级。 电子系统的热平衡是通过热跃迁实现。 在一个能带内的非平衡载流子热跃迁频繁，在比它们的寿命短得多的时间内，达到带内热平衡。在这种情况下，处于非平衡状态的电子系统和空穴系统，可以定义各自的费米能级，称为准费米能级。 二、半导体偏离平衡态的程度 与n0p0=ni2比较，可以看出EFn和EFp之间距离的大小，直接反映了半导体偏离平衡态的程度： ①两者的距离越大，偏离平衡态越显著； ②两者的距离越小，就越接近平衡态； ③