二维半导体材料生长和光电性能研究.PDF

2017 年 第 62 卷 第 33 期：3829 ~ 3837 《中国科学》杂志社 进 展 SCIENCE CHINA PRESS 二维半导体材料的生长和光电性能研究 黎博, 魏钟鸣* 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083 * 联系人, E-mail: zmwei@ 2017-04-22 收稿, 2017-06-14 修回, 2017-06-14 接受, 2017-09-06 网络版发表 国家自然科学基金优秀青年科学基金资助 摘要 二维过渡金属硫族化合物纳米材料由于是不同带隙的半导体, 同时有些在地球上储量丰富, 受到人们广 泛的关注. 在本文中, 介绍了用于二维材料场效应晶体管制备的光刻图形转移技术. 该方法可以低成本、简单、有 效地获得晶体管, 同时对二维材料的损伤较小, 可以获得高性能的二维材料晶体管; 其次, 介绍了Co掺杂MoS2双 层纳米片的生长及电学输运研究, 可以通过控制生长过程中硫的浓度来改变纳米片的形貌, 随着温度的升高, 最 终可以获得CoS /MoS 六边形结构, 电学测试表明Co掺杂MoS 双层纳米片显n型, 而CoS /MoS 六边形结构具有很 2 2 2 2 2 高的电导率; 还介绍了垂直双层SnS /MoS 异质结的气相生长及光电性能研究, 这种异质结具有很大的带阶, 能 2 2 带结构呈现Ⅱ型, 在异质结区域, 出现了强烈的光致发光谱淬灭, 这种异质结与相应的单体材料相比, 具有增强 的光电性能. 最后, 对二维材料的未来研究进行一些展望. 关键词 二维半导体, 二硫化钼, 气相生长, 光电器件 自从2004年, 石墨烯(graphene)被英国曼彻斯特 Te), 单层MX2 是由两层X夹着一层M 的三明治结构 大学的Novoselov等人[1]发现以来, 二维材料就受到 组成的. M-X键是较强的共价键, 层与层之间的X-X 了人们的广泛关注. 二维材料层内以强烈的共价键 键是较弱的范德瓦尔斯键. 由于层间耦合作用的不 结合, 层与层之间以较弱的范德瓦尔斯(范德华)力结 同, 不同层数的MX2会表现出明显不同的能带结构 合, 所以容易剥离. 二维材料可以由单元系或多元系 和物理性质. TMDs具有不同的能带结构, 比如有金 构成, 比如单元系有石墨烯、硅烯、黑磷等. 多元系 属、半导体、绝缘体[2]. 其中的半导体材料, 如MoS , 2 有硫化钼(MoS ) 、硫化钨(WS )等(图1)[2~5]. Graphene WS 等, 能带结构强烈依赖层数变化,