经典讲义：MOSFET驱动技术.pdfVIP

MOSFET的驱动技术 MOSFET简介  MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文 通常称之为，金属-氧化层-半导体-场效晶体 管.  MOSFET最早出现在大概上世纪60年代，首 先出现在模拟电路的应用。  功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起，在 如今电力电子功率器件中，无疑成为了最 重要的主角器件。 MOSFET的简单模型 MOSFET的一些主要参数  耐压：通常所说的VDS ，或者说是击穿电压。 那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢？  上面这个例子显示，当驱动电压为0，Vds达到 200V的时候，Id这个电流达到了250uA，这个 时候认为已经达到击穿电压。  不同的厂家对此定义略有不同，但是基本上来 说，当电压超过击穿电压，MOS的漏电流就会 急剧上升。 MOSFET的一些主要参数  导通电阻：  MOSFET在导通之后，其特性可以近似认为 是一个电阻  上面这个例子表示，在驱动电压为10V的时 候，导通电阻为0.18欧姆 MOSFET的一些主要参数  导通电阻的温度关系：  MOS的导通电阻随温度上升而上升，下图 显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时 候，为20度时候的2倍。 MOSFET的一些主要参数  导通阀值电压：就是当驱动电压到达该值 之后，可认为MOS已经开通。  上面这个例子，可以看到当Vgs达到2-4V 的 时候，MOS电流就上升到250uA 。这时候可 认为MOS已经开始开通。 MOSFET的一些主要参数  驱动电压和导通电阻， 最大导通电流之间的关 系  从右图可以看到，驱动 电压越高，实际上导通 电阻越小，而且最大导 通电流也越大  导通阀值电压随温度上 升而下降 MOSFET的一些主要参数  MOSFET的寄生二极管  寄生二极管比较重要的特性，就是反向恢 复特性。这个在ZVS ，同步整流等应用中显 得尤为重要。 MOSFET的一些主要参数  MOSFET的寄生电容  这三个电容的定义如下： MOSFET的一些主要参数  MOS的寄生电容都是非线性电容，其容值 和加在上面的电压有关。所以一般的MOS 厂家还会用另外一个参数来描述这个特性：  用电荷来描述 MOSFET的驱动技术  MOS虽然是电压型驱动，但是由于寄生电 容的存在，必须要求驱动电路提供一定的 驱动电流。  较小的驱动电流，会导致MOS的GS 电压上 升缓慢，降低了开关速度，提高了开关损 耗。 MOSFET的驱动技术  米勒电容Cgd  米勒电容虽然看起来很小，但是对驱动的影响很大，特 别在VDS 比较高的场合。但是在ZVS和同步整流等应用 中，由于VDS会在驱动上来之前，下降到零，就不存在 这个问题。 MOSFET的驱动技术  IC的驱动能力：不同的IC厂家，对驱动能力 的定义有所不同。  上面的例子定义驱动能力为峰值电流（在 特定条件下）  有些厂商就用内阻来定义驱动能力。 MOSFET的驱动技术  当IC本身的驱动能力不足的时候，就需要外 加驱动电路来增强驱动能力，以达到快速 开关MOS的需求  1.采用分立器件，比如图腾柱。  2.采用集成的驱动IC. MOSFET的驱动技术  MOSFET的低端（low side）驱动：  所谓低端驱动，就是驱动电路的参考地， 就是MOS的S端。 UC3845