三极管基本分析方法..ppt

2.2 晶体管的基本应用 引 言 2.2.2 交流分析 2.2.1 直流分析 第2章 半导体三极管 引 言 基本思想 非线性电路经适当近似后可按线性电路对待， 利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。 一、分析三极管电路的基本思想和方法 直流通路(ui = 0)为静态。 交流通路(ui ? 0)为动态，只考虑变化的电压和电流 画交流通路原则： 1. 固定不变的电压源都视为短路； 2. 固定不变的电流源都视为开路； 3. 视电容对交流信号短路。 第2章 半导体三极管 基本方法 图解法： 在输入、输出特性图上画交、直流负载线， 求静态工作点“Q”，分析动态波形及失真等。 解析法： 根据发射结导通压降估算“Q”。 用小信号等效电路法分析计算电路动态参数。 第2章 半导体三极管 二、电量的符号表示规则 A A A 大写表示电量与时间无关(直流、平均值、有效值)； A 小写表示电量随时间变化(瞬时值)。 大写表示直流量或总电量(总最大值，总瞬时值)； 小写表示交流分量。 总瞬时值 直流量 交流瞬时值 交流有效值 直流量往往在下标中加注Q A — 主要符号； A — 下标符号。 t u o uBE = UBE + ube 第2章 半导体三极管 2.2.1 直流电路的分析 一、图解分析法 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3 V 5 V iB iC 输入直流负载线方程: uCE = VCC ? iC RC uBE = VBB ? iBRB 输出直流负载线方程: 输入回路图解 Q uBE/V iB/?A 静态工作点 VBB VBB/RB 115 k? UBEQ IBQ 0.7 20 输出回路图解 uCE/V iC/mA VCC VCC/RC 0 1 k? Q 2 3 UCEQ ICQ 0 iB = 20 ?A 第2章 半导体三极管 二、工程近似分析法 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3 V 5 V iB iC 115 k? 1 k? ? = 100 第2章 半导体三极管 第2章 半导体三极管 2.2.2 晶体管开关电路及工作状态的判断 一、晶体管工作状态的判断方法 几种？ 截止、放大、饱和 当输入uI为低电平，使 uBE0.5V时，三极管截止。 iB≈0，iC≈0，C、E间 相当于开关断开。 三极管关断的条件和等效电路 IC(sat) Q A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 负载线 临界饱和线 饱 和 区 放大区 截止区 uBE0.5V B E C 三极管 截止状态 等效电路 uI=UIL uBE + - 通常用硅管 门限电压Uth=0.5V — 截止状态 一、晶体管工作状态的判断方法 uI增大使uBE0.5V时， 三极管开始导通，iB 0， 三极管工作于放大导通 状态。uBE ≈UBE (on) ≈0.7V IC(sat) Q A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 临界饱和线 饱 和 区 放大区 uI增大使iB增大，从而工作点上移，iC增大，uCE减小 截止区 三极管 放大状态 等效电路 uBE + - — 放大状态 0iB IB(sat) B E UBE(on) C UCE 0.7 第2章 半导体三极管 一、晶体管工作状态的判断方法 IC(sat) Q A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 临界饱和线 饱 和 区 放大区 截止区 iB≥ IB(sat) B E UBE(sat) C UCE(sat) 三极管 饱和状态 等效电路 三极管开通的条件和等效电路 uCE≈UCE(sat)≈0.3V≈0， C、E间相当于开关合上。 当输入uI为高电平，使 iB≥ IB(sat)时，三极管饱和。 uBE + - uBE + - uI=UIH S为放大和饱和的交界点，这时的iB称临界饱和基极电流，用IB(sat)表示；相应地，IC(sat)为临界饱和集电极电流； UBE(sat)为饱和基极电压，UBE(sat)≈0.7V；UCE(sat)为饱和集电极电压，UCE(sat)≈0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。 — 饱和状态 第2章 半导体三极管 第2章 半导体三极管 二、晶体管开关电路 T 截止 IB≈0，IC≈0，C、E间相当于开关断开,LED不发光。 T导通 饱和导通条件: T 饱和导通LED发光 因为 所以 +VCC(5V) 1 k? RC RB