《SJT10627-1995-通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》.pdfVIP

SJ 中华 人 民共和 国电子行 业 标 准 SJ/T 10627一1995 通过测量间隙氧含量的减少表征 硅 片氧 沉 淀特 性 的方法 Testmethodsforoxygenprecipitationcharacterizationofsilicon wafersbymeasurementofinterstitialoxygenreduction 1995-04-22发布 1995-10-01实施 中华人民共和国电子工业部 发布 中华人民共和 国电子行业标准 通过测量间隙氧含量的减少表征 Si/T10627一1995 硅 片 氧 沉淀 特 性 的方法 Testmethodsforoxygenprecipitationcharacterizationofsilicon wafersbymeasurementofinterstitialoxygenreduction 主题内容与适用范围 1.1 主题内容 本标准规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。 1.2 适用范围 本标准适用于室温电阻率大于0.1f1.CM的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一 温度或双温度。 1 弓}用标准 GB/T1557 硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T14143 300-900pm硅片间隙氧含量的红外吸收测量方法 3 方法原理概要 本方法是用红外光谱仪测定硅晶片中间隙氧含量在退火前后的减少来确定氧的沉淀特 性。氧的沉淀与硅片退火前后间隙氧含量的减少具有对应关系。 4 方法原理概要 ，.付里叶变换红外光谱仪或光栅式红外分光光度计，波数为1000cm一处‘，分辨率优于 4cm一I, b.热退火沪:温度范围750-10501C,控温精度12C; c 合适的石英管、石英舟; d.气管和进样装置。 5 试验样品的选择和准备 5.1 选择一组晶片作试验，这组晶片中包括氧浓度整个范围。在问隙氧含量 “0])0.5ppma 间隔范围内，至少选择两个晶片。例如，如果一组 O〔〕范围是3ppma，则这组至少选择12个晶 片。 中华人民共和国电子工业部 1995-04-22发布 1995-10-01实施 一 1 一 SI/T 10627一1995 5.2 试验样品应满足GB1557或GB/T14143的要求。 5.3 用激光或手刻标记以区别每一试验样。 6 测最步骤 6.1根据样品厚度按GB1557或GB/T14143测量原始样品的间隙氧。记录氧的数值、晶片 记号、测量位置、试验 日期和测量仪器。 6.2 硅片清洗后，应尽可能快的进行试验。如果清洗和试验期间需将样品存放，需放在干净 闭封的箱子里。 6.3 硅片中氧沉淀的热处理实验按表1进行。 表 1 硅片中氧沉淀的热处理实验 实验A 10500,16h 实验B 1050r-,15h后，7501C,4h 炉内气氛 氮+5%干氧 气体流量 4.2+0.2曰min 样品推/拉速度 25cm/min 升温速度