扩散工艺培训课件(ppt).pptVIP

掺杂技术就是将所需要的杂质，以一定的方式（合金、扩散或离子注入等）加入到硅片内部，并使在硅片中的数量和浓度分布符合预定的要求。利用掺杂技术，可以制作P-N结、欧姆接触区、IC中的电阻、硅栅和硅互连线等等。 合金法是早期产生半导体器件常用的形成p-N结的方法。自从硅平面技术问世以后，合金法已经被扩散法取代了。扩散技术是一种制作P-N结的好方法。随着集成电路的飞速发展，扩散工艺已日臻完善，其设备和操作也大多采用电子计算机进行控制了。 扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。 集成电路制造中的固态扩散工艺，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。 扩散是向半导体中掺杂的重要方法之一，也是集成电路制造中的重要工艺。 目前扩散工艺以广泛用来形成晶体管的基极、发射极、集电极，双极器件中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、互连引线，对多晶硅的掺杂等 离子注入是目前VLSI优越的掺杂工艺。就目前我国升昌集成电路来看，离子注入不能说完全代替了扩散工艺，但至少许多原来由扩散工艺所完成的加工工序，都已经被离子注入取代了，这是时代发展的必然结果。 §3.1 杂质扩散机构 杂质在硅晶体中的扩散机构主要有两种：1）间隙式扩散，（2）替位式扩散 一、间隙式扩散 1、间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。 主要那些半径较小、并且不容易和硅原子键合的原子，它们在晶体中的扩散运动主要是以间隙方式进行的。如下图所示。图中黑点代表间隙杂质，圆圈代表晶格位置上的硅原子。 2、间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动。 3、间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6~1.2ev。 4、间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置上。 5、跳跃率：Pi=v0e-wi/kT 温度升高时Pi指数地增加。 二、替位式扩散 1、替位杂质：占据晶格位置的外来原子。 2、替位式扩散：替位杂质从一个晶格位置到另一个晶格位置上。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较容易地运动到近邻空位上。运动如下图所示。 3、替位杂质运动比间隙杂质更困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。 4、跳跃率Pv=v0e-(Ws+Wv)/kT Wv表示形成一个空位所需能量。 §3.2 扩散原理（即扩散系数和扩散方程） 扩散时质量守衡，J随时间变化与随空间变化相同－－连续性方程 以下式表示杂质原子流密度 以上2－1，2－3为Fick’s扩散第一、第二定律。 考虑施加恒定电场E时： 1.扩散系数与温度有关：如上图 D0：扩散率，?E：扩散工艺激活能，k0：玻耳兹曼常数，T：绝对温度。 2. 扩散工艺激活能?E，? 间隙扩散物质：如He, H2, O2, Au, Na, Ni, Cu, Fe。?E在0.2～2.0eV之间? 替位扩散物质：如B, As, P, Sb? E 在 3～4 eV之间 3.扩散系数与衬底掺杂浓度有关 §3.3 扩散杂质的分布 1.恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布 2. 有限表面源扩散 扩散散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化。这种类型的扩散称为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布 3. 两步扩散 预淀积（或预扩散）：温度低、时间短 主淀积（或推进）：温度高、时间长 预淀积（或预扩散）现已普遍被离子注入代替 §3.4 影响杂质分布的其他因素（实际杂质分布(偏离理论值)） 1、二维扩散 一般横向扩散(0.75~0.85)*Xj(Xj纵向结深) 2、杂质浓度对扩散系数的影响 其中Di0 、 Di＋(p/ni)、 Di－(n/ni)、 Di2(n/ni) 2分别表示中性 、正一价、负一价、负二价的高浓度杂质－－空穴对的非本征条件下的有效扩散系数。 以上是考虑多重电荷空位的杂质扩散模型时，扩散衬底杂质浓度将严重影响扩散系数 3、电场效应 4、发射区推进效应 5、热氧化过程中的杂质再分布(杂质分凝) 6、氧化增强扩散 7、硅片晶向的影响 §3.