高电荷态离子光电离过程的相对论R-矩阵理论分析.pdfVIP

摘 要 光电离（PI ）过程是光与原子或离子相互作用的一个基本过程，可分为直接光电离 过程和共振光电离过程。光电离过程的研究对原子物理、等离子体物理以及天体物理等 都有非常重要的意义。原子或离子的光电离截面是模拟实验室和天体等离子体不透明度 的重要参数。在天体物理中，高电荷态离子（HCIs ）的光电离谱已经在类星体的高分辨 率的 X-射线谱中观测到，通过对这些谱线的研究分析可以获得大量的宇宙信息。另外， 通过高电荷态离子光电离过程可以系统的研究电子关联效应、相对论效应、量子电动力 学效应以及有限核效应等。本文利用基于 Dirac R-矩阵方法的 DARC 程序包，以及基于 多组态 Dirac-Fock （MCDF ）理论方法的程序包GRASP92，系统研究了高电荷态离子的 光电离过程。主要内容包括： 1. 利用基于全相对论 R-矩阵方法的 DARC 程序计算了类氖 Ar8+ ，Fe16+，Kr26+和 44+ 2 2 6 1 Xe 离子基态 1s 2s 2p S0 的光电离截面。为细致分析共振结构，利用MCDF 方法对主 要的 2s→np 共振光电离过程进行了系统的计算，并给出了共振能量，自然线宽和共振 强度。详细讨论了光电离截面和共振强度沿类氖系列的变化行为，并分析了相对论效应 的影响。对于Ar8+离子，本文的结果与已有的理论计算和实验数据都符合的很好。 7+ 2 6 2 2. 利用全相对论R-矩阵方法系统地计算了类钾Fe 离子的基态3s 3p 3d D3/2 和激 2 6 2 2 6 发态 3s 3p 3d D5/2 在 3p 共振区域和 2p-3d 共振区域的光电离截面，以及亚稳态3s 3p 4s 2S1/2 在 3p 共振区域的光电离截面。与已有的理论结果相比，我们的计算结果更好的重 现了 Gharaibeh 等人的实验结果。在 2p-3d 共振区域，我们的结果与 Zeng 等的结果符合 的很好。 关键词：光电离；高电荷态离子；光电离截面；共振强度；Dirac R-矩阵方法；多组态 Dirac-Fock 方法 I ABSTRACT Photoionization (PI) process is a truly fundamental process of the interaction of light and atomics or ions, and includes direct PI process and resonant PI process. The investigation of PI is very important for the plasma physics ，atomic theory and astrophysics. The PI cross sections of atomics or ions are essential for theoretical modeling of plasmas in both the laboratory and astrophysical source. In astrophysics, PI of highly charged ions (HCIs) has been recently observed in high-resolution x-ray spectra of quasars, and abundant information of the universe can be obtained by analyzing the spectrum. In addition, investigations of PI