第5章 场效应管放大电路.pptVIP

* * 4、如何区分FET管？ N、P沟道的区分： 用vDS来区分 vDS0 vDS0 N沟道 P沟道 耗尽型、增强型的区分： JFET中： MOSFET中 增强型 耗尽型 vGS 和vDS方向相反 vGS 和vDS方向相同 vGS 可正、可负、可为零 第五章 小 结 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 * * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ①当vDS=0时，iD=0。 ②vDS↑→iD↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当vDS↑，使vGD=vGS- vDS =-vDS= VP时，在靠漏极A点处夹断——预夹断。 A 此时iD达到了饱和漏电流IDSS 表示栅源极间短路 当vGS为一固定常数时， VP=vGD=vGS- vDS 在漏源间加电压vDS ，为便于讨论，先令vGS =0，由于vGS=0，所以导电沟道最宽。 * * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 在漏源间加电压vDS ，为便于讨论，先令vGS =0，由于vGS=0，所以导电沟道最宽。 ①当vDS=0时， iD=0。 ②vDS↑→iD↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当vDS↑，使vGD=vGS- vDS=- vDS =VP时，在靠漏极A点处夹断 ——预夹断。 ④vDS再↑，预夹断点下移 预夹断前， vDS↑→iD↑ 预夹断后， vDS↑→iD几乎不变 Why？ * * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） (a) vGS=0, vDS=0时 iD=0 (b) vGS=0, vDS│VP│时 iD迅速增大 (c) vGS=0, vDS=│VP│时 iD趋于饱和 iD饱和 (d) vGS=0, vDS│VP│时 图示：改变vDS时JFET导电沟道的变化 * * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） (3) vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP * * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 总结工作情况： ① ID受输入电压vGS的控制，其iG≈0，输入电阻很大； ② 其导电特性是由多子决定的，故其热噪声很小，受环境温度影响很小； ③ ID受漏源电压vDS的影响 vDS很小时(即预夹断前)，ID与vDS成正比，呈纯阻性 预夹断时，当vDS到一定程度，ID=IDSS(最大饱和电流) vDS继续增加，ID不变 vDS再增加，当vDS＝V(BR)DS时击穿， ID↑↑ * * 综上分析可知： （a） JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管；（b） JFET 栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此输入电阻很高；（c） JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制；（d）预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ * * 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 uGS=0V uGS=-1V * * 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 恒流区的特点： △iD /△vGS=gm≈常数 即：△iD =gm△vGS （放大原理） ① 可变电阻区（预夹断前） ② 恒流区或饱和区（预夹断后），也称线性放大区 ③ 夹断区（截止区） 可变电阻区 恒流区 截止区 分三个区： * * 2. 转移特性 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线 A A B B C C D D * * 通过实验可以得到iD的经验公式： 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 只要给出IDSS和VP就可以把转移特性中的其他点近似计算出来。 * * 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 * * 各种场效应管的符号及特性 N沟道JFET (耗尽型) P沟道JFET (耗尽型) 符 号 转移特性 输出特性 N沟道MOSFET (增强型) * * 各种场效应管的符号及特性 N沟道MOSFET (耗尽型) P沟道MOSFET (增强型) 符 号 转移特性 输出特性 P沟道MOSFET (耗尽型) * * 5.3.2 JFET放大电路的小信号模型分析法 vi vo 1.JFET的直流偏置电路及静态分析 (1)自偏压电路 ID 由来： 源极电阻 在vGS=0时，耗尽型JFET也会有漏 源电流