直流电缆主绝缘与屏蔽层界面形貌对电场畸变的仿真研究-ChinaXiv.PDFVIP

2 0 18年 11 月 Nov. 2018 第13卷 第11期 JOURNAL OF ELECTRICAL EN GINEERIN G Vo1.13 No. 11 DOI ：10.11985/2018.11.004 直流电缆主绝缘与屏蔽层界面形貌对 电场畸变的仿真研究 1 1 1 2,3 2,3 2,3 尹 毅 吴建东 胡嘉磊 张 磊 孙 璐 沈耀军 （1. 上海交通大学电子信息与电气工程学院电气工程系 上海 200240 2. 国网浙江省电力有限公司舟山供电公司 舟山 31602 1 3. 浙江舟山海洋输电研究院 舟山 31602 1 ） 摘要：高压直流电缆中，主绝缘与屏蔽层的界面形貌，引起界面附近主绝缘内电 场的畸变，是造成电缆绝缘故障的原因之一。这种界面形貌形成的机理与屏蔽层中掺 1 杂的炭黑颗粒有关，在生产过程中，这些颗粒进入主绝缘内，形成局部凸起，引发电 v 场集中。本文从该机理出发，基于随机过程建立界面形貌的几何模型，有限元仿真计 7 2 算界面附近的电场分布，从统计的意义上，研究该界面形貌对电场畸变的影响。结果 0 表明，为降低界面形貌引起的电场畸变，最有效的方法之一是增大屏蔽层中掺杂炭黑 0 0 颗粒的粒径和减小这些颗粒进入主绝缘的深度。若屏蔽层中有不可去除的小粒径颗粒， . 则可以掺杂大颗粒炭黑从概率上减小电场畸变。 2 尹 毅 男 1972年 1 生，博士，教授，博士生 关键词：界面形貌 直流电缆 随机过程 有限元 仿真 8 导师，主要从事电介质物 TM2 15 中图分类号： 1 理理论与相关测试技术等 0 方面的研究工作。 2 : Simulation of Electric Field Distortion Caused by v i Interface Morphology Between Insulation and Shielding X in HVDC Cables a n i 1 1 1 2,3 2,3 2,3 h Yin Yi Wu Jiandong Hu Jialei Zhang Lei Sun Lu Shen Yaojun c （1. Shanghai Jiao Tong University Shanghai 200240 China 2. Zhoushan Power Supply Company of Stat