中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响-硅酸盐学报.PDF

· 812 · 硅 酸 盐 学 报 2013 年 第 41 卷第 6 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 41 ，No. 6 2 0 1 3 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u n e ， 2 0 1 3 DOI ：10.7521/j.issn.0454–5648.2013.06.16 中子辐照掺氮6H-SiC 晶体的电学性能及退火的影响 1 1 1 2 1 1 1 陈 敬 ，阮永丰 ，李连刚 ，祝 威 ，王鹏飞 ，侯贝贝 ，王 帅 (1. 天津大学理学院，天津 300072 ；2. 天津商业大学理学院，天津 300134) 20 2 摘 要：在 60～80 ℃用剂量为 1.67 × 10 n/cm 的全能谱中子对掺氮 6H-SiC 晶体进行了辐照，对辐照样品从室温至 1 600 ℃进行了等时退火，研究了 辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤，并引起样品的电学性能发生变化，使电阻率升高、介电常数和 介电损耗减小。测试表明：在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中，存在约为 1 000 和 1400 ℃两个特征温度。当退火温度低于 1 000 ℃时，随着 退火温度的升高，电阻率小幅增加，而介电常数和介电损耗亦下降；在退火温度高于 1 000 ℃时，电阻率开始下降。在退火温度高于 1 400 ℃时，电 阻率急剧地下降，而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型，对上述现象做了定性解释。测试还 4 表明，掺氮 6H-SiC 的介电常数高达 3.5 × 10 ，这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。 关键词：掺氮碳化硅晶体；中子辐照；退火；电阻率；介电性能 中图分类号：O77+4 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2013)06–0812–08 网络出版时间：2013–05–21 16:36:22 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1636.016.html Electrical Properties and Annealing Behavior of Nitrogen Doped 6H-SiC Crystals Irradiated by Heavy Neutron CHEN Jing1 1 1 2 1 1 1 ，RUAN Yongfeng ，LI Liangang ，ZHU Wei ，WANG Pengfei ，HOU Beibei ，WANG Shuai (1. School of Sciences, Tianjin University,