LED结构原理讲述.pptVIP

把外面变成圆形，能有效避免全反射，但这种结构不好加工 挖一个椎，减少全反射，但无法进入椎区域的光在多次全反射后，能量会损失 利用湿法刻蚀或机械加工方法在侧面切出斜边，打破四面对称结构，使光发射出来。 下边为p型反射金属 HP公司 尺寸变为原来10倍 类似想法用于绿光 MB发光层的光所走路径较长，在下面金属反射后，有损失 XB发光层离底部金属反射层近，路径短，向上走时，从侧面斜角也可以出去 光子走的路径短，损失较低 垂直芯片剖析 垂直LED制造的方法 制造垂直结构LED芯片有两种基本方法： 一、剥离生长衬底； 二、不剥离生长衬底 。 其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构： 一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层 迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反 射层上。 　二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上， 键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括， 砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。  四元DBR材料 MQW LED器件结构示意图 左：p-type large bandgap 材料 右：n-type large bandgap 材料 有源层：narrow badgap 材料，通常掺杂浓度很低 电子和空穴分别从左右两端进入有源层，其扩散长度会比有源层厚度（如0.2—2um）大很多，表示载流子会很均匀地分布在narrow bandgap 材料中； 由于电中性的要求，因此额外的电子和空穴数应该相等（△n=△p）：通常有源层掺杂浓度很低，相对而言，注入的载流子数目非常多，因此以上等式成立， 量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。 多量子阱结构优势： 1、在MQW结构中，电子和空穴的波函数重叠较多，因此其辐射复合的效率较高； 2、在DH结构中， narrow bandgap材料形成的发光区不会长得太窄，否则会使发光区域变小，影响发光效率；也不能长得太宽，否则会超过载流子扩散长度，通常0.5-5um；如果中间的narrow bandgap材料和两边的large bandgap材料晶格不匹配，长晶后，材料会产生很多缺陷，使发光效率下降； 用MQW结构，中间narrow bandgap层可以做的很薄，晶格不匹配的影响很小，不会产生缺陷；如InGaN刚好发出蓝、绿光，两边large bandgap材料用GaN，但它们之间的lattice constant 不匹配，可以使InGaN长得很薄，两边材料长得很厚，材料不会产生松弛、开裂，但发光强度不够，因此采用MQW结构，长很多层。材料间晶格不匹配时，要考虑用MQW结构。 3、利用MQW结构，可以使发出光子的能量有效增加。 当形成QW结构时，能量会被量子化，能够有效提高载流子结合放出的能量。特别地，需要调节bandgap时，经常使用Al，以实现所需色彩，但加Al后材料会趋近或变成间接带隙，发光性能下降。 可以做成MQW结构，利用调变MQW的宽窄，可以调节禁带大小。 4、MQW使有源层变薄，避免了内部的自我吸收。 有源层产生的光子，在发出去之前，在有源层有可能被再吸收掉（发光区是narrowbandgap材料，而局域层是large bandgap），不会被吸上去。有源层变薄后，可以减少光的吸收。 5、MQW发光光谱和I-V特性不易受温度影响，即元件特性对温度不太敏感。 红光LED结构：从上向下看，n型砷化镓基板、n型AlGaAs(大bandgap材料)、p型活跃层（小bandgap材料），即发光层，决定发光波长，1.42eV，850nm附近，红外范围，可以通过调整Al的含量，使之在红光范围发光；化合物半导体中增加Al，会使bandgap变大， p型AlGaAs (大bandgap材料) ，器件为双异质结构，即小 bandganp材料夹在2个大bandgap材料之间；随后是一层cap layer，介电层，电极。此图是长完累晶层后翻过来的结果，原因：基板是GaAs，1.42eV，发红外光，只要波长短于红外的光，它会吸收所有可见光，造成中间发光层发出的光全部被基板吸掉，至少有一半的光被吸掉，所以要翻过来，在基板上挖个洞，形成top-down方式。大部分LED都是面射型。 也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。 如何看出红外：InGaAsP：1