为散粒噪声电流均方值.PPTVIP

?光电检测技术基础 2.1 检测量的误差与数据处理 2.2 辐射度量和光度量基础 2.3 光电检测器件的特性参数 2.3 光电检测器件的特性参量 一、 响应度 二、噪声及其评价参数 * 第2章??光电检测技术基础 2.3 光电检测器件的特性参数 光电探测器利用光电效应，把入射到物体表面的辐射能变换成可测量的电量： (1) 外光电效应：当光子入射到探测器阴极表面(一般是金属或金属氧化物)时，探测器把吸收的入射光子能量(h?=hc/?)转换成自由电子的动能，当电子动能大于电子从材料表面逸出所需的能量时，自由电子逸出探测器表面，并在外电场的作用下，形成了流向阳极的电子流，从而在外电路产生光电流。 (2) 光伏效应：半导体P-N结在吸收具有足够能量的入射光子后，产生电子-空穴对，在P-N结电场作用下，两者以相反的方向流过结区，从而在外电路产生光电流。 (3) 光电导效应:半导体材料在没有光照下，具有一定的电阻，在接收入射光辐射能时，半导体释放出更多的载流子，表现为电导率增加(电阻值下降)。 光辐射探测器的性能： ① 探测器的输出信号值定量地表示多大的光辐射度量，即探测器的响应度大小。 ② 对某种探测器，需要多大的辐射度量才能使探测器产生可区别于噪声的信号量，即与噪声相当的辐射功率大小。 ③ 探测器的光谱响应范围，响应速度，线性动态范围等。与光辐射测量有关的还有表面响应度的均匀性、视场角响应特性、偏振响应特性等。 1.定义：单位辐射度量产生的电信号量，记作R。电信号是电流，称为电流响应度；是电压，称为电压响应度。 2.探测器的响应度描述光信号转换成电信号大小的能力。测不同的辐射度量，应当用不同的响应度。 3.探测器的响应度是波长的函数。光谱响应度为 积分响应度和光谱响应度的关系为 积分响应度不仅与探测器的光谱响应度有关，也与入射辐射的光谱特性有关，因而，说明积分响应度时通常要求指出测量所用的光源特性。 利用公式推导可知，探测器的辐射通量光谱电流响应度为: 对于光电探测器，由于受到材料能带之间的间隙——禁带宽度Eg的限制，响应波长具有长波限，最大响应波长为 式中， 是光电子逸出探测器表面所需的表面势垒。 表2-5 常见半导体及掺杂半导体的能隙Eg及最大响应波长?max 14.3 0.087 Si?Mg 7.5 0.165 Si?In 5.4 0.23 PbSe 27.6 0.045 Si?P 0.52 2.4 CdS 16.3 0.0706 Si?Bi 0.69 1.8 CdSe 23.1 0.0537 Si?As 1.1 1/12 Si 20.7 0.06 Ge?Cd 1.9 0.67 Ge 30.2 0.041 Ge?Cu 3.0 0.42 PbS 13.8 0.09 Ge?Hg 5.5 0.22 InSb ?max (?m) Eg (eV) 材料 ?max (?m) Eg (eV) 材料 在系统中任何虚假的或不需要的信号统称为噪声。系统的噪声可分为来自外部的干扰噪声和内部噪声。来自外部的干扰噪声又可分为人为干扰噪声和自然干扰噪声；系统内部噪声也可分为人为噪声和固有噪声。 （1）散粒噪声 由于光子流以间断入射的形式投射到探测器表面，以及探测器内部光子转换成电子动能而产生的电子流具有统计涨落的特性，形成散粒噪声。 假设入射光子服从泊松(Poisson)概率密度分布，则可导出 式中， 为散粒噪声电流均方值(A)；q为电子电量(K)； 为平均电流A, 为测量系统的噪声等效带宽(1/s)；R(f)为探测器响应度的频率响应。 1. 噪声 （2）产生-复合(G-R)噪声 光导型探测器的G-R噪声是由于半导体内的载流子在产生和复合过程中，自由电子和空穴数随机起伏所形成，也属于白噪声，相当于光伏型探测器中单向导电P-N结内的散粒噪声，只是这类双向电导元件的G-R噪声比散粒噪声大倍。 式中，Ep为入射光在探测器表面产生的辐照度；Ad为探测器的工作面积； 为探测器的内量子效率；G为光是导器件的增益。 （3） 热噪声 热噪声由电阻材料中离散的载流子(主要是电子)的热运动造成。只要电阻材料的温度大于绝对零度，则不管材料中有无电流通过，都存在着热噪声。热噪声电流的均方值为 式中，k为玻兹曼常数；T为元件的温度(K)；R为探测器的电阻值。 使探测器致冷或者探测器及前置放大器一起制冷，可以减少热噪声电流。 （4）1/f噪声 1/f噪声的产生机制还不很清楚，一般认为，它与半导体的接触、表面、内部存在的势垒有关，所以有时叫做“接触噪声”，其值随信号调制频率的增加而减少，即 图2-