《YDT835-1996-雪崩光电二极管检测方法》.pdfVIP

YD/T835-1996 前 言 随着光纤通信事业的高速发展，原来34Mb/s光纤通信系统已满足不了要求，622Mb/s,2.5Gb/s 光纤通信系统已先后建立，并已进入实用化阶段，与之相对应的光电器件如接收机的接收器件也应向高 速度、超长距离方面发展，长波长雪崩光电二极管能满足这方面的要求，由于多年的努力，长波长雪崩光 电二极管已实现产业化，为了实现邮电部对光纤通信设备的规范化和与之相对应的长波长雪崩光电二 极管测试条件的规范化，特制定本标准。 “雪崩光电二极管检测方法”基本是等效采用IEC-747-5(1992)中关于A“PD，检测方法的有关规 定。 本标准由邮电部电信科学研究规划院提出并归口。 本标准由邮电部武汉邮电科学研究院电信器件公司负责起草。 本标准主要起草人:许秀柞、李平、吴济。 中华人民共和国通信行业标准 YD/T835一1996 雪崩光电二极管检测方法 1 范围 本标准规定了带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管光电参数的检测项目及检测方法。 本标准适用于带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管的光电参数检测。 2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均 为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 IEC-747-5-1992 半导体器件 分立器件 第5部分:光电子器件 3 术语和符号 3.， 术语 3.1.1雪崩光电二极管A〔PD) 在一定反向偏置电压作用下，由于载流子倍增初始光电流在其内部能获得放大的光电二极管。 3.1.2 反向电流IR(H)(在光照射下) 当雪崩光电二极管受到入射光照时总的反向电流。 3.1.3 暗电流IR(o) 无光照时雪崩光电二极管的反向电流。 3.1.4 光电流Ip 由光照射雪崩光电二极管所产生的净反向电流。 几=IR(H)一IR(D) ························…… (1) 3门.5 初始光电流Ira 雪崩光电二极管在未产生载流子倍增时的光电流。 3.1.6 反向击穿电压vm 在无光照时，使暗电流达到规定值时，对应的反向偏压。 3.1.7 响应度R 在给定波长光照下，初始光电流与入射光功率IA之比。 R=几。/叭 ·”·”·····“······”·”··…(2) 3.1.8 量子效率I 在给定波长光照射下，在无倍增时能产生井被雪崩光电二极管电极收集的电子一空穴对数与入射 光子数之比。 7=Rhc/qd ·······················……(3) 式中:h— 普郎克常数; 4— 电子电荷; A- 波长 ; 中华人民共和国邮电部1996一04一08批准 1996一09一01实施 YD/Z835一1996 c— 光速。 3.飞.9 光谱响应 雪崩光电二极管的响应度随波长的变化。 3.1.9.1 峰值响应波长AN 光谱响应最大值所对应的波长。 3.1.9.2 极限波长All?和4, x,::光谱响应下降到最大值的一半处所对应的波长。 ao,:光谱响应下降到最大值的10%处所对应的波长。 3.1.9.3 光谱响应范围 雪崩光电二极管短波极限波长与长波极限波长之间的光谱段。 3.1.10 倍增因子M 在光照射下，有载流子倍增时的光电流I，与初始光电流I。之比(见图1)0 M=寿/Iro ·”····“···”·”·”······一 (4)