光电子与微电子器件及集成.pdf

附件4 “光电子与微电子器件及集成”重点专项 2019 年度项目申报指南建议 （征求意见稿） 国家重点研发计划启动实施“光电子与微电子器件及集 成”重点专项的总体目标是：发展信息传输、处理与感知的光 电子与微电子集成芯片、器件与模块技术，构建全链条光电 子与微电子器件研发体系，推动信息领域中的核心芯片与器 件研发取得重大突破，改变我国网络信息领域中的核心元器 件受制于人的被动局面，支撑通信网络、高性能计算、物联 网等应用领域的自主可控发展，满足国家发展战略需求。 本重点专项按照核心光电子芯片、光电子芯片共性支撑 技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和器件工 艺技术5 个创新链（技术方向）进行部署，专项实施周期为 5 年（2018—2022 年）。 各研究任务要求以项目为单元整体组织申报，项目须覆 盖所申报指南方向二级标题下的所有研究内容并实现对应 的研究目标。 1.核心光电子芯片 1.1 多相位调制格式的光电集成芯片和模块（共性关键 技术类） 研究内容：聚焦多相位调制格式的光电集成芯片和模块， 研究硅光相干光芯片的设计和工艺，实现调制器，ICR 等单 元功能的单片集成；研究相干光模块的小型化封装技术，实 现硅光芯片的高频封装；研究面向相干光模块小型化的需求， - 1 - 实现DSP 、硅光相干收发芯片、driver 、TIA 的共基板高密度 集成，支持 BGA 封装和非气密封装，能分别集成进 CFP2 和QSFP-DD 尺寸标准的光模块内。 考核指标：可支持波特率≥64Gbaud, 发光功率≥-4dBm,工 作波段覆盖 C 波段，工作温度范围-40~85 度，B2B 极限 OSNR ： 10.5dB@100Gb/s QPSK,13dB@200Gb/s QPSK, 16dB@200Gb/s 16QAM, 21dB@400Gb/s DCI ,24dB@400Gb/s ZR 。具备批量生产能力，实现批量推广 应用和销售，申请发明专利30 项以上。 1.2 面向骨干网相干传输的关键芯片、模块和系统验证 (共性关键技术类) 研究内容：聚焦骨干网相干传输的关键芯片、模块和系 统验证，研究骨干网相干传输系统用的国产化芯片、模块和 系统；研究高可靠性、高成品率的高阶调制发射芯片和相干 接收芯片；开发出符合商业标准的 100Gb/s 净数据率的收发 模块；研究相干光芯片和器件的C+L 波段传输特性；完成骨 干网长距离传输的验证和应用，实现国产芯片的产品化，在 运营商设备中得到应用。 考核指标：调制器、探测器工作波特率为28GBaud/s 以 上，单波长传输的净数据率为100Gb/s，传输距离不低于1000 公里，单段跨距不低于80 公里，满足C+L 波段传输。在运 营商的波分复用系统中进行现场演示验证，波长间隔≤50GHz 。 研制的国产化核心光芯片，具备批量生产能力，实现批量推 广应用和销售；掌握核心关键技术，申请发明专利 30 项以 上。 1.3 Pb/s 级大容量光交换光电子集成芯片与模块(共性关 - 2 - 键技术类) 研究内容：聚焦大容量光交换光电子集成芯片与模块， 研究大阵列高速低功耗超大容量光交换芯片关键技术，包括 高性能光开关单元光学结构和低功耗驱动结构设计；研究大 阵列高速低功耗波长路由芯片关键技术，实现大规模高速波 长可切换激光器阵列和高速调制器阵列技术及大阵列波长 路由器集成芯片设计与制备方法；研究大阵列可重构光分插 复用器芯片关键技术，包括光集成平台的分光与光路切换技 术和大端口数的集成波长选择性光开关器件关键技术；研究 大阵列光交换芯片光学与电学封装关键技术，解决光子器件 高密度集成时热串扰问题，提高芯片热稳定性；研究大阵列 光交换芯片驱动控制与