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西电微电子：模拟集成电路设计 两级运算放大器（3） 单端输出 Av1 ≈ g m 2 (ro 2 || ro 4 ) Av 2 ≈ g m 6 (ro 5 || ro 6 || RL ) ≈ g m 6 RL Av = Av1 × Av 2 CC为Miller补偿电容 下章介绍 op amp Ch. 9 # 64 ? ? ? – – – 西电微电子：模拟集成电路设计 本讲内容 ? 概述 单级运算放大器 两级运算放大器 运算放大器设计要点 增益的提高 – – – – 性能比较 共模反馈 输入范围限制 转换速率（压摆率） 电源抑止 噪声 op amp Ch. 9 # 65 ? 1 ? r ? Vout ? r ro 2 1 ? 1 1 ? r ? 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（1） 左图： Rout ≈ g m 2 ro 2 ro1 右图： V1 = A1 (0 ? VX ) = ? A1VX V1 Θ I out = VX ro1 = g m 2 (V1 ? VX ) + Vout ? VX ro 2 ∴VX ? + ? o1 + (1 + A1 ) g m 2 ? = ? o 2 通过提高输出阻抗提高增益！！ ∴ Rout = Vout I out = ro 2 ? + ? o1 ro 2 + (1 + A1 ) g m 2 ?ro1 ? ≈ A1 g m 2 ro 2 ro1 op amp Ch. 9 # 66 VX = VGS 3 V1 VX 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（2） V1 辅助放大器的实现方式 可使用(b)图虚框内共源电路 A1 = ? ≈ g m 3 ro 3 Vout VGS 3＋Vdsat 2 辅助放大器减小了输出摆幅 Rout ≈ g m 3 ro 3 g m 2 ro 2 ro1 Av = ? g m1 Rout ≈ ? g m1 (g m 3 ro 3 g m 2 ro 2 ro1 ) op amp Ch. 9 # 67 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（3） 共源共栅差分对中增益的提高 (a) : 使用两个独立的辅助放大器 (b) : 使用全差分辅助放大器 (c) : 辅助放大器的实现方式 I1、I 2、M 5、M 6、I SS 2 缺点：输出摆幅 VX VGS 5 + Vdsat op amp Ch. 9 # 68 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（4） 折叠共源共栅差分放大器用做辅助放大器 VX 允许的最小电压为Vdsat1 + Vdsat 不受辅助放大器限制 op amp Ch. 9 # 69 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（5） 折叠共源共栅用做辅助放大器 输出阻抗的计算 辅助放大器的增益A1 A1 ≈ g m 5 (g m 7 ro 7 (ro 9 || ro 5 ) || g m11ro11ro13 ) Rout ≈ A1 g m 3ro 3ro1 op amp Ch. 9 # 70 西电微电子：模拟集成电路设计 增益的提高（6） A1 : PMOS差分输入; A2 : NMOS差分输入 为何？ 保障最大输出摆幅！！ op amp Ch. 9 # 71 ? ? ? – – – 西电微电子：模拟集成电路设计 本讲内容 ? 概述 单级运算放大器 两级运算放大器 运算放大器设计要点 增益的提高 – – – – 性能比较 共模反馈 输入范围限制 转换速率（压摆率） 电源抑止 噪声 op amp Ch. 9 # 72 西电微电子：模拟集成电路设计 性能比较 没有一个结构是完美的 满足应用要求的结构就是最合适的结构 op amp Ch. 9 # 73 ? ? ? – – – 西电微电子：模拟集成电路设计 本讲内容 ? 概述 单级运算放大器 两级运算放大器 运算放大器设计要点 增益的提高 – – – – 性能比较 共模反馈 输入范围限制 转换速率（压摆率） 电源抑止 噪声 op amp Ch. 9 # 74 西电微电子：模拟集成电路设计 为什么需要共模反馈？ 理想情况：I 7 + I8 = I 9 实际：工艺偏差、沟道长度调制 I 7 + I8 ≠ I 9 若I 7 + I8 I 9 VX 、VY 上升，使M 5 ~ M 8退出饱和 若I 7 + I8 I 9