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福州宏旭科技有限公司硅是硅具有优良的半导体电学性质禁带宽度适中为电子伏载流子迁移率较高电子迁移率为空穴迁移率为本征电阻率在室温下高达掺杂后电阻率可控制在的宽广范围内能满足制造各种器件的需要硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长在几十微秒至毫秒之间热导率较大化学性质稳定又易于形成稳定的热氧化膜在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现结表面钝化和保护还可以形成金属氧化物半导体结构制造场效应晶体管和集成电路上述性质使结具有良好特性使硅器件具有耐高压反向漏电流小效率高使用寿命长可靠性好热传导好并能在高温下运行等优
福州宏旭科技有限公司
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톧 硅是硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.1 电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为
닄 1350cm2/v·s，空穴迁移率为480cm2/v ·s。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×10Ω·cm,掺杂后电
쇏 阻率可控制在104～10-4 Ω·cm的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流
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