绝缘栅双极晶体管的设计要点.pdf

第44 卷第1 期 电力电子技术 Vol.44 袁 No.1 2010 年1 月 Power Electronics January 袁2010 缘栅双极晶体管的设计要点 张景超袁 赵善麒袁 刘利峰袁 王晓宝 渊江苏宏微科技有限公司袁 江苏 常州 213022 冤 摘要 介绍了绝缘栅双极晶体管渊IGBT冤的基本结构和工作原理曰讨论了IGBT 各关键参数和结构设计中需要考虑的 主要问题曰分析了IGBT 设计中需要协调的几对矛盾参数的关系以及影响IGBT 可靠性的关键因素遥 关键词 绝缘栅双极晶体管曰 关键参数曰 结构设 曰 可靠性 中图分类号 TN6 文献标识码 A 文章编号 1000-100X 渊20 10冤01-000 1-03 The Key Design Points of Insulated Gate Bipolar Transistor ZHANG Jing鄄chao 袁ZHAO Shan鄄qi 袁 LIU Li鄄feng 袁 WANG Xiao鄄bao 渊MacMic Sc ience Technology Co. 袁Ltd. 袁 Changz hou 213022 袁 China冤 Abstract The basic structure and operation mechanism of insulated gate bipolar transistor 渊IGBT冤 are introduced.The key electrical characteristics are discussed 袁as well as the key factors which should be considered when designing an IGBT.The trade鄄offs between different characters of an IGBT and the influences on its reliability are also analyzed. Keywords insulated gate bipolar transistor 曰 key characteristics 曰 structure design 曰reliability 1 引 言 所谓的电导调制效应袁 因而在相同耐压下袁IGBT 的 IGBT作为新型电力半导体器件的主要代表已 VCE渊sat冤比VDMOS 的低遥 由于漂移区内存在空穴袁当 广泛应用于工业尧信息尧新能源尧医学尧交通尧军事和 IGBT 关断时袁 空穴的消失需要一定的时间遥 因此袁 航空领域[1] 遥 随着半导体材料和加工工艺的不断进 IGBT 的关断时间比VDMOS 的更长遥 [2] 步袁IGBT 的电流密度尧 耐压和频率不断得到提升 遥 目前市场上IGBT 器件的耐压高达6.5 kV 袁 单管芯 电流高达200 A 袁频率达到300 kHz遥 在高频大功率 领域袁目前尚无任何其他器件可以代替它遥下面着重 分析讨论IGBT 器件的设 要点遥 2 IGBT 的基本结构尧静态特性和开关特性 t +t 为开通时间曰t +t 为关断时间 由 1a 可以看出袁IGBT 由一个MOSFET 和一 d渊on冤 r d渊off冤 f