直流磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其性能.pdf

第 卷 第 期 中 国 表 面 工 程 ２６ １ Ｖｏｌ．２６ Ｎｏ．１ 　 　 　 　 　 年 月 ２０１３ ２ ＣＨＩＮＡＳＵＲＦＡＣＥＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｆｅｂｒｕａｒ ２０１３ ｙ ： ／ ｄｏｉ１０．３９６９ ．ｉｓｓｎ２０１３．０１．００６ ｊ 直流磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其性能 张 剑，陈文革 　 （西安理工大学 材料科学与工程学院，西安 ７１００４８） 摘 要：采用直流反应磁控溅射法在单晶硅上制备二氧化硅薄膜。利用 射线衍射仪（ ）、原子力显微 Ｘ ＸＲＤ 　 镜（ ）以及傅里叶交换红外光谱仪（ ）等研究制备过程中氧含量和溅射功率对薄膜的微结构、表面形 ＡＦＭ ＦＴＩＲ 貌以及红外吸收等性能的影响。结果表明，室温下溅射出的ＳｉＯ２ 薄膜是非晶结构的；随着氧含量的增加，折 射率、沉积速率、粗糙度都逐渐减小；沉积速率和粗糙度随着溅射功率的增加而增加；当氧气含量为 ４０％时， 薄膜的折射率接近二氧化硅的折射率（ ）。退火后薄膜的压电常数随氧含量的增加先增大再减小，介电 １．４６ 常数随着频率的增大而减小。 关键词：磁控溅射；非晶；表面形貌 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＧ１７４．４４４ Ａ １００７９２８９２０１３０１００３４０６ 　　　 　　　 犘狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳狋犺犲犛犻犾犻犮狅狀犇犻狅狓犻犱犲犉犻犾犿狊犉犪犫狉犻犮犪狋犲犱犫 犇犆犚犲犪犮狋犻狏犲 狆 狔 犕犪狀犲狋狉狅狀犛狌狋狋犲狉犻狀 犵 狆 犵 ， ＺＨＡＮＧＪｉａｎ ＣＨＥＮＷｅｎ ｅ ｇ （ ， ， ） ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｉｎｅｅｒｉｎ ＸｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏ Ｘｉａｎ７１００４８ ｇ ｇ ｙ ｇｙ 犃犫狊狋狉犪犮狋： （ ） Ｓｉｌｉｃｏｎｄｉｏｘｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅ ｒｅａｒｅｄｂ ｄｉｒｅｃｔｃｕｒｒｅｎｔＤＣ ｒｅａｃｔｉｖｅｍａｎｅｔｒｏｎｓｕｔｔｅｒｉｎ ｏｎ ｐ ｐ ｙ ｇ