降低同步整流DC－DC变换器损耗技术的新拓扑.pdf

EDA技术专栏 降低同步整流DC-DC变换器 损耗技术的新拓扑 张良， 陆鸣 （上海交通大学微纳米技术研究院微电子所，上海 200000） 摘要：介绍了开关电源的同步整流原理，列出了采用同步整流技术直流-直流变换器的几种主要损 耗，着重分析了两种降低主要损耗的新型优化拓扑电路以及其优缺点。 关键词：同步整流；直 -直流变换器；效率；新型拓扑 中图分类号：TN86 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2003)08-0057-03 ZHANG Liang, LU Ming ( , Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200000,China) Abstract: ， Key words: 1 引言 2 SR基本原理 随着微电子和信息技术的飞速发展，芯片的集 SR基本原理图如图1，其中L为变压器的漏 k 成化程度越来越高，这就要求芯片的工作电压很 感，L 为变压器的励磁电感，T为理想变压器， m 低，以解决功耗和散热等问题。现在通讯和芯片电 PM为开关管，PM、PM为同步整流管，D、D 1 2 1 2 为体二极管，C、C 为结电容，L、C分别为滤 源的输入常采用低电压、大电流模式,如5V/20A、 1 2 波电感和电容，T为理想变压器。如图1中的同步 3.3V/20A,甚至Pentium微处理器的工作电压只有4 整流驱动波形，当开关管PM断开时，整流管PM 1.5V。这样原先开关电源 （即直-直变换器）的 2 断开，续流管PM导通，滤波电感L和电容C为 肖特基整流管 （SBD）0.3V压降的损耗，变得尤 1 负载供电。当开关管导通时，PM断开，PM导 为突出，可以占电源总损耗的60%以上。同时现 1 2 通，PM开始整流。因为要被整流的副边电压V 在的功率MOS管的通态电阻已做得很小，如IR公 1 sec 同PM和PM的驱动波形的相位相同，因此这种整 1 2 司可以做到5mΩ。以20A为例可明显看出，用低 形被称为同步整流。实际上，PM和PM之间的切