氨基乙酸2H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究-摩擦学学报.PDFVIP

第 28 卷第 4 期 摩 擦 学 学 报 Vol. 28　No. 4 2008 年 7月 Tribo logy Ju ly 2008 氨基乙酸 H2 O 2 体系抛光液中 铜的化学机械抛光研究 张 　伟 , 路新春 , 刘宇宏 , 潘国顺 , 雒建斌 (清华大学 摩擦学国家重点实验室, 北京 　100084) μ 摘要 : 在 CP4 型 CM P试验机上采用 5 m 厚的铜镀层片研究了氨基乙酸 H O 体系抛光液中铜的化学机械抛光行 2 2 为 ,分别采用 Sartoriu s 17 12M P8型电子天平和 W YKO MHTⅢ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗 糙度 ,用 CH I660A 型电化学工作站的动电位极化扫描技术和 PH I5300ESCA 型 X 射线光电子能谱仪分析抛光液中氧 化剂和络合剂等化学组分对铜的作用机制. 结果表明 , 由于氧化剂 H O 对铜的氧化作用使得氨基乙酸对铜的络合速 2 2 率从 1. 4 nm /m in提高到 47 nm /m in,进而提高了铜的化学机械抛光去除率. 当抛光压力 ≤10. 35 kPa时 ,抛光后铜表面 出现腐蚀坑 ,腐蚀坑面积比率随抛光过程相对运动速度的增大而减小 ; 当抛光压力 ≥17. 25 kPa 时 ,铜表面腐蚀坑消 失 ,在相对运动速度 ≥1 m / s条件下 ,表面粗糙度为 3 ～5 nm ;当抛光压力 6. 9 kPa,在相对运动速度 ≤1 m / s条件下 , 随着相对运动速度增大 ,机械作用增强 ,抛光去除率增大 ;当相对运动速度 1 m / s时 ,抛光界面区抛光液润滑效应增 强 ,抛光去除率有所降低 ,化学机械抛光过程中这一临界相对运动速度为 1 m / s. 关键词 : 化学机械抛光 ; 动电位极化扫描 ; 氨基乙酸 ; 腐蚀坑 中图分类号 : TN 305. 2; TH 117. 3 文献标志码 : A 文章编号 : (2008) 04 036606 ( ) 　　作为一种平面化工艺 ,化学机械抛光 CM P 在 条件下的反应机制. 文献 [ 8 ～12 ]从反应动力学和 集成电路铜布线抛光中的应用已有 20 多年历史. 根 化学反应传质角度研究了溶液中氨基酸电解离子对 据莫尔定律 ,到 20 14 年铜布线线宽将达到 35 nm. 铜离子的络合行为 ,这与铜的材料去除机制研究有 因而为了保证铜布线层可靠的应用性能 ,有必要对 一定差距. Lu 等 [ 10 ] 还推测氨基乙酸可能通过铜表 铜的化学机械抛光过程进行更深入的研究 , 以进一 面氧化层发挥作用 ,但并没有给出相关证据. 基于 步提高铜布线层的抛光效果. 化学机械抛光过程主 此 ,本文基于抛光机的机械参数实验研究结果 ,利用 要是通过铜布线层表面化学作用和抛光磨粒等机械 动电位极化扫描技术和 XPS光电子能谱