离子辅助沉积中离子束流密度的作用-光子学报.PDFVIP

第! 卷第! 期 光 子 学 报 0123 ! -13 ! #$$% 年! 月 ’()’ *+,),-.(’ /.-.(’ 45678 #$$% 离子辅助沉积中离子束流密度的作用! 张大伟 洪瑞金 范树海 王英剑 邵建达 范正修 （中国科学院上海光学精密机械研究所，上海#$=9$$ ） 摘 要 测量了?EB;+522 离子源在不同条件下的离子束流密度，在不同离子束流密度下进行了’6 离子辅助沉积K6,# 薄膜的实验，研究了离子束流密度对薄膜折射率、晶相的影响L 根据动量传递 模型分析了离子束流密度对薄膜折射率的作用；根据热尖峰理论证明了一定条件下离子束流密度 不会影响薄膜晶体结构L 关键词 离子辅助；离子束流密度；热尖峰；晶相 中图分类号 )M! 文献标识码 ’ 是正离子和电子混合的等离子体［ N =% ］，而束流密度 ! 引言 是对正离子而言的，因此需要在测量时屏蔽掉电子L 离子辅助沉积薄膜技术的优越性已经被人们广 本文采用法拉第筒加负偏压方法测量L 测量简图如 泛认可［= N ! ］ 图 L 大部分真空沉积薄膜由于低的沉积原 =，法拉第筒是可沿夹具径向移动的离子探测器， 子动能存在着疏散的堆积结构、高的薄膜内应力、水 其上加负偏压，大小为!$ 0L 电流表一端接电源正 汽吸收等问题L 如果在沉积过程中用几十到近千电 极，一端接地L 由于负偏压的作用，仅有带正电的离 子伏动能的离子辅助沉积，则不仅会改善这种状况， 子被法拉第筒俘获，与法拉第筒相连接的电流表反 而且还使薄膜属性的可控性增强L 通过改变离子的 映了单位时间内单位面积上俘获的正离子的多少， ［ ］ 本文使用该数值表征离子束流密度，用 参量，可以使薄膜的致密度 、消光系数、晶体结 ! 代表，单位 ［% ］ # 构 等性能发生变化L 辅助离子的参量主要有离子 是 ’O 7@ L 离子源固定阳极电压=$$ 0 ，通过调节 ! 能量、离子质量、离子束流密度和离子原子传递动量 离子源阴极，来改变离子源阳极电流大小L 不同阳 系数［: N 9 ］ L 其中离子原子传递动量系数是其他三个 极电流下，测量到的离子束流密度数值如表=L 参量的综合L 不少文献报道了离子参量对薄膜性质 影响的研究，例如通过改变离子质量研究了传递动 量系数对薄膜致密度的影响［: ］，离子能量对光学薄 膜的光学性能、激光破坏阈值以及微结构影响的研 ［J ］ 究 ，离子的质量和离子的能量对薄膜激光破坏阈 值的影响研究［9 ］ 等L 本文在离子的能量、质量不变 的条件下进行了’6 离子束流密度对K6,# 单层膜致 密度、晶体结构的影响研究L 根据动量传递模型分 析了离子束流密度对薄膜折射率的影响关系，根据 图= 离子辅助沉积系统简图 热尖峰理论证明了在一定条件下，离子束流密度不 PAF3 = /78@5QA7 1I A1E R5@ 5SSASQB BH1SAQA1E 会影响