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2019-02-09 发布于天津
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金属化制程.PDF

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金属化制程

金屬化製程金屬化製程 1 目標 • 解釋金屬化製程的原件運用 • 列出最常用的三種材料 •• 列出三種金屬沉積的方法列出三種金屬沉積的方法 • 描述濺鍍製程 • 解釋在金屬沉積製程中高真空需求的目的的 2 金屬化金屬化 • 定義定義 • 運用 • PVD vs. CVD •• 方法方法 • 真空 • 金屬金屬 • 過程過程 • 未來趨勢 3 金屬化 • 在晶圓表面上沉積金屬薄膜的過程 4 CMOS: 標準金屬化 Ti/TiN TiN, ARC TiSi 22 金屬 1, Al•Cu W BPSG + + + + STI n n USG p p P型井區 N型井區 P型磊晶層 P-wafer 5 運用運用:相互連接相互連接 6 以銅當導線的以銅當導線的ICIC晶片剖面圖晶片剖面圖 Ti//TiNN SiN CoSCoSi Ta oor TaNN 22 M1 Cu Cu Cu FSGFSG FSG WW PSG W + + + + STI n n USG p p PP--WellWell NN-WWellll