第一原理之计算方法探讨奈米碳管在外加电场下电子结构之变化.PDFVIP

第一原理之計算方法 探討奈米碳管在外加電場下電子結構之變化 文/陳俊維 一、前言： 法，探討奈米碳管在外加沿著管軸電場(場發射效應) 及垂直管軸電場(場效應電晶體)下，電子結構之變 自從奈米碳管於 1991 年被發現以來，已經吸引 化，及相關之物理特性。 全世界廣泛之研究。研究發現，藉由奈米碳管之捲曲 角度(chiral angles)不同，使得碳管呈現出金屬與半導 二、計算方法： 體不同之特性。此外，由於其特殊之幾何形狀及電子 特性，使得其可應用於場發射平面顯示器 (field 主要是利用 CATSEP(CAmbridge Total Energy emission displays, FEDs)[1], 真空微電子元件[2]、及場 Program) 程式來從事計算[7,8] 。其主要之方法為利用 效應電晶體(field effect transistors, FETs)[3] 。在場發 密度泛函理論(Density functional theory) ，且利用平面 射之應用上，主要是利用沿著奈米碳管之管軸上之電 波展開來描寫波函數，及假位能(pseudopotential)之方 場，使電子發射至真空中。由於碳管之非常高之 aspect 法。而電子之交換相關(exchange-correlation)之位能主 ratio ， 導 致 非 常 高 之 電 場 增 益 效 應(field 要是利用 GGA (generalized gradient approximation)來 enhancement) ，使得元件之場發射起始電壓大幅降 描寫[9] 。而其假位能主要是利用實空間(real space)之 低。而奈米碳管之場發射機制，目前被廣泛引用之理 超軟假位能(ultrasoft pseudopotential)[10]來描寫。此 論，主要是利用 Folwer-Nordheim 方程式[4]來描寫。 外，為了能模擬在外加均勻電場下之情形，我們利用 其主要機制為電子在高 aspect ratio 奈米碳材中，面臨 外加鋸齒狀之位能，作用於奈米碳管之兩側， 與石墨相當之位能障礙(workfunction) ，利用量子穿隧 V ( r )= e Ez(− L z ≤ L ) (如圖一) 。在此 E 為外 效應(quantum tunneling) ，而穿隧到真空中。其中決定 ext 2 2 場發射效應最重要之兩個因素，一為材料之功函數 加電場之大小，而 L 為晶胞之邊界大小。在我們的計 (workfunction) ，另一個為其幾合增益因子 (geometric 算中，我們將平面波之 cutoff 能量設為 340 eV 且其只 enhancement factor) 。然而許多實驗顯示，許多場發射 考慮點之近似。 之電壓電流曲線，與傳統上描寫金屬導體表面之 Folwer-Nordheim 理論有所出入[5] 。例如，傳統上之 Folwer-Nordheim 理論主要是以類似金屬之擴展態 (extended states)波函數為主來描寫電子之場發射機 制；而實驗上發現，在奈米碳管之場發射效應中，主 要是以局限態(localized states)之波函數為主[6] 。另外 奈米碳管在場效應電晶體(CNT-FETs)之應用上，由於 奈米碳管之微小半徑，使得作用在碳管之電場變得相 對大，使得其能帶結構在如此環境下產生變化，影響 其傳導特性。因此，我們將利用第一原理之計算方 圖一：沿著奈米碳管管軸之外加電場下，電位之變化 物理雙月刊（廿七卷四期）