A.1磁控溅镀机溅镀原理.PDFVIP

附錄 A 本次壓力感測器發展過程中，一開始所使用的材料雖同樣是壓電材料中的 PZT ，但為求整體製程上的一致性，採用Silicon base 的方式，在矽晶片上沈積 PZT 的薄膜，並使用 RF 濺鍍的方式，將 PZT 薄膜沈積在 Ti/Pt 的基版上，並經由光罩 的改進，包括圖案的設計與對準記號的增加，以增加微影蝕刻過程中良率的提升， 以下將針對製程的改善過程提出說明。 A.1 磁控濺鍍機濺鍍原理 當我們在一容器中置入兩相對的金屬電極板(electrodes) ，且加入一組直流電 源，若容器中壓力較高時(接近─大氣壓) ，此時電極表面將帶有與直流電源等量的 荷電粒子，此時猶如電容器儲存電荷，而空間中並無電流流動。而當容器中壓力 降低(低於─大氣壓)時，容器內粒子下降，電極板將不易吸附足夠的帶電粒子，而 使得兩電極板間有電流流動如圖 A.1 ，此一流動的結果將與空間中粒子相互作用而 解離(dissociation) ，解離後的正離子受到空間電場的作用，撞擊位於負電極上的靶 材，經由動能的轉換，靶材上的元素將被擊出而沈積在基板上，此動作稱為離子 轟擊，此即直流濺鍍機(DC sputtering)的最基本原理。由上述的討論可知，直流濺 鍍不論電極或靶材將受