半导体白光LED.PPT

400 nm紫光激发三色荧光粉 所获白光 色温4000-4300K R=78 用LED和荧光粉合成白光的途径一览 5.4 白光照明对蓝光LED的要求 大电流，大功率 大面积 45 mil x 45 mil 高光效 Cree公司大功率LED 挑战： 防止电流增加时效率下降：droop效应 提高总的光电转换效率 有效散热 LED结构设计 LED规格和发热情况 尺寸 350x350 um2 1x1 mm2 额定电流 350 mA 1A 工作电压 3V 3V 外量子效率 50% 50% 发热量 0.5 W 1.5 W 热功率密度 400 W/cm2 150 W/cm2 对比: 1.2x1.2 cm2 CPU 发热80-100 W， 功率密度～60 W/cm2 器件工作温度达100oC 从pn结内电注入到封装的整个设计，技术的选择必须受制于热管理！ p型接触在大电流注入时的老化现象 （1mm2面积通过1A电流） LED两种基本结构 垂直结构 同侧结构 几种LED结构 常规芯片 (CC) P型层电阻率很高(1Ωcm)，必须沉积大面积电极接触，以优化电流注入的均匀性 缺点： 电流注入不均引起 电流阻塞 焦耳发热 寿命较短 需在良好的光提取和均匀电流注入间进行折中： 增大电流注入同时，接触的厚度也要增加， 产生大量热，并因吸收作用降低光提取效率 改进电极设计,适用大面积p电极 顶面出光，p型接触的电注入均匀性和透光率相互抵触，必须折中考虑 使用性能良好的透明氧化物导电膜ITO 或ZnO ZnO:Al透明导电膜 ρ= 3×10-4Ωcm, Ne=2.5×1021 cm-3 采用透明导电膜 Vf(V) Iv(mcd) Wd（nm） 3.362 384.07 525.51 3.355 378.75 525.82 3.354 375.82 525.81 3.385 382.12 525.9 3.356 383.66 525.67 Vf(V) Iv(mcd) Wd（nm） 3.283 386.96 526.5 3.277 390.95 526.46 3.277 390.99 526.19 3.274 387.88 526.12 3.258 388.75 526.38 AZO/ ITO ITO 材料学院与杭州士兰明芯合作实际应用： ZnO:Al膜(AZO)替代GaN-LED的ITO透明电极 发光性能几乎一样 倒装芯片(FC) 反射金属层确保LED较大面积上存在良好的p型接触，光通过蓝宝石衬底出射 器件紧贴在低热阻材料上，利于散热 该结构无需顶部的接触导线，利于荧光粉的均匀沉积 反射金属层 垂直薄膜结构(VTF) p型接触沉积于整个LED上，贴合在主衬底上 激光剥离蓝宝石衬底，同时进行表面粗化处理 N型接触电阻率很低，较小面积即足以使电流 均匀分布 优点：散热效果好 缺点：荧光粉难以沉积 顶部接触会产生阴影，影响出光 激光剥离 蓝宝石硬度很高，抛光法去除成本太高 激光剥离： 248 nm KrF准分子激光背面入射,GaN吸收激光能量后，局部过热使GaN分解，分层，缓冲层中出现分裂区 剥离后用HCl除去剩余的Ga液滴 该法对SiC无效，因为SiC衬底本身吸收248 nm激光 表面粗化 衬底 LED Pt 5nm 衬底 LED 快速热处理形成Pt球 衬底 LED 化学腐蚀 除去Pt球 背面出光 前表面出光 薄膜倒装芯片(TFFC) VTF和FC的结合 可靠的热管理和无引线技术 易于荧光粉沉积 目前性能最好的LED结构 * 加黑体辐射图 * 加光谱图调光色 第五章 半导体白光LED 自然光 钻木取火 油料 夜明珠 白炽灯 燃烧发光 热辐射发光 日光灯 荧光 气体放电发光 节能灯 发光 二极管 半导体电致发光 5.1 人类照明技术变迁 《淮南子.览冥训》： “随侯之珠，和氏之璧，得之者富，失之者贫” “宫中本阁至夜则悬大宝珠，光照一室如日中也。” 1879: 白炽灯诞生 原理：黑体辐射 无燃烧、无味、无烟 廉价 寿命～1000 h 转换效率低 （7%） 照明占全球电能消耗19% 荧光灯 Hg蒸气高压放电产生等离子体，释放紫外线， 激发荧光粉产生白光 寿命长（10000h），发光效率高100 lm/W, 可选择光色 低压钠灯：黄光，100-200 lm/W, 道路照明 高压汞灯：温度稳定性好，道路照明 高压钠灯：大功率(1kW) 金属卤化物灯: 高压汞灯中加入其他金属 超大功率 (18 kW) 各国换灯计划 澳大利亚：2007年2月，决定于2010年用LED照明灯具替代白炽灯，世界上第一个禁用白炽灯的国家。 加拿