微电子工艺—薄膜技术.PPTVIP

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微电子工艺—薄膜技术

微电子工艺----薄膜技术(1) 第5章 物理气相淀积 (Physical Vapor Deposition) 第5章 物理气相淀积(PVD) 5.1 真空蒸发法原理 5.2 设备与方法 5.3加热器 5.4 气体辉光放电 5.5 溅射 物理气相淀积(Physical vapor deposition,PVD)是利用某种物理过程,如用真空蒸发和溅射方法实现物质转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面淀积成薄膜。 5.1 真空蒸发法制备薄膜的基本原理 真空蒸发即利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备。 在真空条件下,加热蒸发源,使原子或分子从蒸发源表面逸出,形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。 这种物理淀积方法,制备的一般是多晶金属薄膜。 真空蒸发法优点 设备简单,操作容易 所制备的薄膜纯度较高,厚度控制较精确,成膜速率快 生长机理简单 蒸镀过程 源受热蒸发; 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运; 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积:凝结→成核→ 生长→成膜。 5.1.1 基本参数 汽化热ΔH 被蒸发的原子或分子需克服固相或液相的原子间束缚,而蒸发到真空中并形成具有一定动能的气相原子或分子所需的能量。 常用金属材料汽化热 /原子(分子) 在蒸发温度下的动能 /原子(分子) 蒸发速率 蒸发速率和温度、蒸发面积、表面的清洁程度、加热方式有关,工程上将源物质、蒸发温度和蒸发速率之间关系绘成为诺漠图。 蒸镀为什么要求高真空度 蒸发的原子(或分子)的输运应为直线,真空度过低,输运过程被气体分子多次碰撞散射,方向改变,动量降低,难以淀积到衬底上。 真空度过低,气体中的氧和水汽,使金属原子或分子在输运过程中氧化,同时也使加热衬底表面发生氧化。 系统中气体的杂质原子或分子也会淀积在衬底上,影响淀积薄膜质量。 5.1.2 真空的获得 初真空:0.1~760Torr,10~105Pa 中真空:10-4~10-1Torr,10-2~10Pa 高真空:10-8~10-4Torr,10-6~10-2Pa 超高真空:10-8Torr, 10-6Pa 气体流动及导率----气体动力学 气流用标准体积来测量,指相同气体,在0℃和1atm下所占的体积。 C与电导率一样并联相加;串联时倒数相加 若大量气体流过真空系统,要保持腔体压力接近泵的压力,就要求真空系统有大的传导率----管道直径;泵放置位置 5.1.3真空泵 初、中真空度的获得 用活塞/叶片/柱塞/隔膜的机械运动将气体正向移位 有三步骤:捕捉气体-压缩气体-排出气体 压缩比 旋片泵 旋片泵主要由定子、转子、旋片、定盖、弹簧等零件组成。 其结构是利用偏心地装在定子腔内的转子和转子槽内滑动的借助弹簧张力和离心力紧贴在定子内壁的两块旋片,当转子旋转时,始终沿定子内壁滑动。 ?? 在泵腔内,有二个“8”字形的转子相互垂直地安装在一对平行轴上,由传动比为1的一对齿轮带动作彼此反向的同步旋转运动。在转子之间,转子与泵壳内壁之间,保持有一定的间隙,可以实现高转速运行。 压缩比30:1 高、超高真空度的获得 扩散泵 靠高速蒸汽射流来携带气体以达到抽气的目的 工作原理  当油扩散泵用前级泵预抽到低于1帕真空时,油锅可开始加热。沸腾时喷嘴喷出高速的蒸气流,热运动的气体分子扩散到蒸气流中,与定向运动的油蒸气分子碰撞。气体分子因此而获得动量,产生和油蒸气分子运动方向相同的定向流动。到前级,油蒸气被冷凝,释出气体分子,即被前级泵抽走而达到抽气目的。 适用于高真空,但入口真空也要求较高,一般前要接机械泵 压缩比可达108 涡轮分子泵 1958年,联邦德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵 利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子,使气体产生定向流动而抽气的真空泵。 动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度(一般为150~400米/秒)。具有这样的高速度才能使气体分子与动叶片相碰撞后改变随机散射的特性而作定向运动。 压缩比可达109 低温泵Cryopump (cold pump | cryogenic pump | cryovacuum pump | low temperature pump) 利用低温表面冷凝气体真空泵,又称冷凝泵。 抽气原理  在低温泵内设有由液氦或制冷机冷却到极低温度的冷板。它使气体凝结,并保持凝结物的蒸汽压力低于泵的极限压力,从而达到抽气作用。 5.2设备与方法 设备由三部分组成: 真空室 抽气系统 测试部分 蒸发方法: 单组份、多组份蒸发; 衬底是否加热,冷蒸或热蒸; 按加热器分

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