LED驱动电路的电流采样电路设计.PDFVIP

LED 驱动电路的电流采样电路设计 针对滞环恒流大功率LED 驱动芯片，本文提出一款高性能电流采样电路。该电路采用高压 工艺，可承受最高达40V的输入电压。通过分析滞环控制的特点，采用串联电阻采样技术， 结合匹配电流源结构，在保证响应速度和采样精度的同时，降低了电路的复杂度。电路中加 入输入电压补偿电路，进一步提高了恒流控制的精度。在Cadence 下的仿真结果表明，电路 可在800 kHz 的频率下正常工作，采样精度达99.78%;当电压从15V 变化至35V 时平均负载 电流误差为0.81%;输出电压范围为0~5V. 当今照明领域，LED 凭借其寿命长、功耗低、无污染等优点成为未来发展趋势。然而，要 针对不同的应用场合，分别设计一个独特的芯片，目前情况是不可行的。因此，能够使电源 与负载相互独立的电源管理芯片被广泛应用。在这些芯片中，无论是电压还是电流控制模式， 都会通过检测电感电流进行过流保护。在电流模式中，采样电流还被用作环路控制。 本文提出的电流采样技术用于一种滞环恒流控制大功率 LED 驱动电路中，除具有环路控制 与过流保护的功能外，还具有电压补偿的功能及结构简单的特点。 1 采样方式的分析与选择 1.1 现有采样技术 表1中列出了现有的几种电流检测技术并列举了其优缺点。 表1 现有采样技术及其特点 1.2 滞环控制原理分析 图1是滞环控制电路框图。LED 驱动电流的变化反映在Rsense 两端的压差变化上。滞环电 流控制模块内设两个电流阈值Imax 和Imin,当电路接上电源时，功率管打开，电源通过 Rsense、负载LED 向电感L 充电，驱动电流上升。当电流Imax 时，控制电路输出低电平 关闭功率开关管。此时电感通过负载 LED、Rsense 和肖特基二极管放电，电流下降。当驱 动电流Imin时，控制电路输出高电平打开功率开关管，重复上一个周期的动作。通过这种 方式控制电路将驱动电流限制在Imax与Imin之间周期性变化，使流过LED 的平均驱动电 流值恒定。 图1 滞环控制电路框图 可以看到，滞环控制电路使用的是串联电阻采样技术。从表1可知，串联电阻技术的功耗很 大，同样具有高精度且无损耗的Sensfet 似乎更胜一筹。不过，Sensfet 技术只能检测功率管 打开时的电流变化情况，而无法检测功率管关断期间的电流变化。因此无法在需要始终对电 流进行采样检测的滞环控制电路中使用。同时，由于输入电压较高，串联电阻所消耗的功率 在整个电路功率中所占比例也降低了。 2 电路设计 图2是电路采样电路结构图。Rsense 为采样电阻，R1=R2=R;Mp1、Mp2、Mn1、Mn2 组成 的电压镜和Mp9 反馈管组成匹配电流源作为电流检测电路。其中Mp1 与Mp2 相互匹配并 被偏置在饱和区，Mn1 与Mn2是两个相同且非常小的电流源，以保证流过 Mp1 与Mp2的 电流相等从而使其具有相等的VSG。 图2 电路采样电路结构图 由于VinVcsn导致I1与I2不相等。采样电流Is即为这部分多余电流，大小为 式（1）中，实际流过Rsense 的电流为IL+I2.因为I2的大小低于电感电流的10-4 倍，其影 响可以忽略不计。 在实际电路中，VA对VB 的匹配度直接影响采样精度。图3为简化的小信号模型。图4为 实际电路图。Vin与Vcsn 为精确采样电阻Rcsn 两端电压，输入范围8~40 V;Vcc 为芯片内 部5V稳定电源。 图3 简化的小信号模型 图4 采样电路的实际电路图 应用KCL定理，得到 其中，ro4、ro3 为 VB、VA处的等效输出电阻。设 gm1ro3=gm2ro4=AV,且 Mp5为电流 镜，增益约为1,综合式（3）到式（5）： δ是一个分子为 的微小值。由式（6）可以看出，当gm1ro2 或gm2 越大，VA与 VB 的匹配度越高，电流采样越精确。值得注意的是，式中出现 gm1ro3 的平方项，这意味 着可以用较小的增益达到高精度。但是，耐压5V的低压管无法在高输入电压下正常工作， 电路中必须使用大量耐压40V的高压管。然而高压管的增益与等效输出电阻很低，无法满 足电流采样电路的精度要求。 为使低压管能在高压输入中也正常工作，电压镜采用了高低压器件混用的共源共栅结构。 Mp1、Mp2、Mn1 和Mn2 为低压管；Mp3、Mp4、Mn3和Mn4为高压管。一方面，高压管 作为共源共栅器件增大了输出电阻；另一方面，它承受了大部分压降，以保护低压管不被击 穿。不过，共源共栅结构带来另一个问题。串联电阻 R2令Mp2 和Mp4之间的次极点更靠 近原