国立勤益科技大学化工与材料工程系硕士班-勤益科大机构典藏.PDF

國 立勤益科技大學 化工與材料工程系碩士班 碩士論文 利用射頻磁控濺鍍法於聚亞醯胺/三氧化二鋁混成 基材沉積氮化矽之氣體阻障層性質研究 Properties of Gas Barrier Thin Film of Silicon Nitride Deposited on Polyimide/Al O Hybrid 2 3 Substrates by RF Magnetron Sputtering 指導教授：蔡美慧 博士 研究生 ：王泓羿 中 華 民 國 九 十 九 年 七 月 中文摘要 水氣阻隔性複合薄膜之製備，利用射頻磁控濺鍍 (RF Magnetron Sputtering) ，於聚亞醯胺(Polyimide, PI)或聚亞醯胺 /三氧化二鋁(PI/Al O ) 2 3 混成基材上 ，沉積氮化矽(Silicon Nitride, Si N 氣體阻障) (Gas Barrier) 3 4 薄膜。先行濺鍍參數之最佳化評估，再針對複合薄膜性質之研究。 首先， PI 基材合成採用二胺(4,4-oxydianiline, ODA) 與二酸酐 (3,3-oxydiphalic anhydride, ODPA)單體， 進行聚縮合反應 ，形成PI 薄膜 當作 基材。再於射頻磁控濺鍍系統中 ，改變不同工作壓力 (Working Pressure)(4~8m Torr)與濺鍍功率(Sputtering Power)(40~100W) ，於PI基 材上製備不同厚度與表面型態之Si N 薄膜。經由X射線光電子能譜儀 3 4 (XPS)進行複合薄膜分析，證實了所沉積薄膜Si N 之存在。工作壓力4m 3 4 Torr及濺鍍功率 100W下沉積100 nm厚之Si N 薄膜，於場發射掃描式電 3 4 子顯微鏡(FE-SEM)與原子力顯微鏡(AFM)觀察表面型態，得知具有較 緻密的型態與平坦的表面(RMS為0.52 nm) ，並得到較低之水氣透過率 2 (Water Vapor Transmission Rate, WVTR)為0.88 g-mil/m -day 。利用濺鍍 功率100W與工作壓力6m Torr下 ，得到之水氣阻障臨界厚度(Critical 2 Thickness)為100 nm ，WVTR為5.4 g-mil/m -day 。經由熱重分析儀(TGA) 、 I 動態機械分析儀 (DMA)及紫外光可見光光譜儀/ (UV-Vis) ，分析不同鍍 膜厚度之熱性質及光學特性，發現熱裂解溫度(Td )與玻璃轉移溫度(Tg)